CN116203743A 一种硅基电光差分调制器及其制作方法 （武汉光迅科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116203743A(43)申请公布日2023.06.02

(21)申请号202111445048.X

(22)申请日2021.11.30

(71)申请人武汉光迅科技股份有限公司

地址430074湖北省武汉市洪山区邮科院

路88号

(72)发明人梁雪瑞陈宏刚张博罗勇

胡毅马卫东胡强高

(74)专利代理机构深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)44341

专利代理师何婷

(51)Int.CI.

GO2F1/035(2006.01)

GO2F1/21(2006.01)

GO2F1/015(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种硅基电光差分调制器及其制作方法

(57)摘要

CN116203743A本发明涉及光通信技术领域，提供了一种硅基电光差分调制器及其制作方法。所述N型掺杂区位于两条脊形波导之间，所述P型掺杂区分布式的设置在两条脊波导的外侧；其中，所述两条脊形波导共同构成所述脊形波导区；所述N型掺杂区和P型掺杂区覆盖了脊形波导的沟道结构和部分脊柱结构，留下了脊柱中心区域。本发明通过在波导的中心区进行补偿掺入P+型和N+型杂质，可实现调制效率更优的基于载流子色散效应的高速硅基电光调制器，同时补偿性掺杂对波导的光的吸收效应未有明显提升，调制效率的提升

CN116203743A

CN116203743A权利要求书1/2页

2

1.一种硅基电光差分调制器，包括脊形波导区(1),平板波导区(2),金属电极(3),其特征在于，还包括N型掺杂区(4)和P型掺杂区(5),具体的：

所述N型掺杂区(4)位于两条脊形波导之间，所述P型掺杂区(5)分布式的设置在两条脊波导的外侧；

其中，所述两条脊形波导共同构成所述脊形波导区(1);所述N型掺杂区(4)和P型掺杂区(5)覆盖了脊形波导的沟道结构和部分脊柱结构，留下了脊柱中心区域。

2.根据权利要求1所述的硅基电光差分调制器，其特征在于，包括：

N型掺杂区(4)包括N型高掺杂区N++(41),N型中掺杂区N+(42),第一N型低掺杂区N-(43),第二N型低掺杂区N(44)中的至少两个区；

P型掺杂区(5)包括P型高掺杂区P++(51),P型中掺杂区P+(52),第一P型低掺杂区P-(53),第二P型低掺杂区P(54)中的至少两个区。

3.根据权利要求2所述的硅基电光差分调制器，其特征在于，包括：

N型掺杂区(4)排布顺序依次为N型高掺杂区N++,N型中掺杂区N+,第一N型低掺杂区N-,第二N型低掺杂区N;

P型掺杂区(5)排布顺序依次为P型高掺杂区P++,P型中掺杂区P+,第一P型低掺杂区P-,第二P型低掺杂区P。

4.根据权利要求3所述的硅基电光差分调制器，其特征在于，对于N型掺杂区(4)和P型掺杂区(5)的掺杂浓度包括：

N型高掺杂的掺杂浓度C+=2e20/cm3,N型中掺杂区的掺杂浓度C?+=le19/cm3,第二N型低掺杂区的掺杂浓度C=2e18/cm3,第一N型低掺杂区的掺杂浓度Cn.=3e17/cm3;

P型高掺杂区的掺杂浓度C=2e20/cm3,P型中掺杂区的掺杂浓度Cp+=le19/cm3,第二P型低掺杂区的掺杂浓度Cp=2e18/cm3,第一P型低掺杂区的掺杂浓度Cp.=3e17/cm3。

5.根据权利要求1-4任一所述的硅基电光差分调制器，其特征在于，硅基电光调制器有源区掺杂浓度随着波导的位置分布，呈现出中心位置浓度低，两侧逐渐变高，然后再略有降低的趋势。

6.根据权利要求1-4任一所述的硅基电光差分调制器，其特征在于，脊形波导区(1)厚度大于等于220nm,平板波导区(2)厚度为大于等于70nm,平板波导区(2)厚度与脊形波导区(1)厚度比值小于等于0.5。

7.一种硅基电光差分调制器制作方法，其特征在于，包括：

制作出硅基电光差分调制器的脊波导区和平板波导区结构的晶圆上，进行至少两次光刻工艺，制作出N型掺杂区(4)和P型掺杂区(5);

所述N型掺杂区(4)位于两条脊形波导之间，所述P型掺杂区(5)分布式的设置在两条脊波导的外侧。

8.根据权利要求7所述的硅基电光差分调制器制作方法，其特征在于，制作N型掺杂区4具体包括：

第