CN115615569A 一种基于金属衬底的微纳米薄膜温度传感器及其制作方法 （中冶赛迪工程技术股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115615569A(43)申请公布日2023.01.17

(21)申请号202211247850.2

(22)申请日2022.10.12

(71)申请人中冶赛迪工程技术股份有限公司地址400013重庆市渝中区双钢路1号

申请人中冶赛迪技术研究中心有限公司

(72)发明人肖学文冯科漆锐陈南菲余维江邓惠丹段青松谭庆杨玉

(74)专利代理机构北京同恒源知识产权代理有限公司11275

专利代理师廖曦

(51)Int.CI.

GO1K7/01(2006.01)

GO1K7/02(2021.01)

C23C14/35(2006.01)

C23C

C25D

C23C

H10N

H10N

H10N

14/16(2006.01)7/00(2006.01)28/02(2006.01)10/01(2023.01)

10/17(2023.01)10/854(2023.01)

权利要求书5页说明书12页附图4页

(54)发明名称

一种基于金属衬底的微纳米薄膜温度传感器及其制作方法

(57)摘要

CN115615569A本发明涉及一种基于金属衬底的微纳米薄膜温度传感器及其制作方法，属于微纳米传感器技术领域。微纳米薄膜温度传感器包括金属基底、金属过渡层、金属粘结层、绝缘层、第一极金属传感层、第二极金属传感层、保护层和导线。制作方法为：1)在金属基底上沉积金属过渡层；2)在金属过渡层表面上沉积金属粘结层；3)在金属粘结层表面涂上绝缘层；4)制作第一极金属传感层和第二极金属传感层；5)根据传感器尺寸，切割保护层，并在保护层的底面依次沉积金属过渡层和金属粘结层；本发明对原始温度场干扰小，能准确捕捉到温度场的动态变化，灵活安装在狭小空间中以及更接近待测点进行检测，可根据需

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CN115615569A权利要求书1/5页

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1.一种基于金属衬底的微纳米薄膜温度传感器，其特征在于：包括金属基底(3)、金属过渡层(4)、金属粘结层(5)、绝缘层(6)、第一极金属传感层、第二极金属传感层、保护层和导线(9);

所述金属基底上沉积金属过渡层；

所述金属过渡层上依次沉积金属粘结层和绝缘层；

所述绝缘层上依次沉积金属粘结层和第一极金属传感层；

所述第一极金属传感层上集成若干温差电偶回路；

所述第一极金属传感层上具有连接导线的传感器焊盘(10);

所述第一极金属传感层依次沉积金属粘结层和第二极金属传感层；

所述第二极金属传感层上集成若干温差电偶回路；

所述第二极金属传感层上具有连接导线的传感器焊盘；

所述第二极金属传感层上依次沉积金属粘结层、金属过渡层和保护层；

所述导线的一端连接传感器焊盘，另一端连接传感器感温端(11)。

2.根据权利要求1所述的一种基于金属衬底的微纳米薄膜温度传感器，其特征在于：所述金属过渡层厚度范围为[5μm,30μm],金属粘结层厚度范围为[10nm,100nm],绝缘层厚度范围为[1μm,5μm]、金属传感层(8)厚度范围为[300nm,900nm]。

3.根据权利要求1所述的一种基于金属衬底的微纳米薄膜温度传感器，其特征在于：所述沉积包括电镀、旋涂、光刻和磁控溅射。

4.根据权利要求1所述的一种基于金属衬底的微纳米薄膜温度传感器，其特征在于：所述温差电偶回路的两极材料包括NiCr-NiAlMnSi合金、NiCr-NiAl合金和NiCr-NiSi合金中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的一种基于金属衬底的微纳米薄膜温度传感器，其特征在于：所述绝缘层的材料为聚酰亚胺；

所述金属粘结层的材料为金属钛；

所述第一极金属传感层、第二极金属传感层的材料为镍基合金；

所述保护层的材料为铜；

所述导线的材料为导电银胶。

6.根据权利要求1所述的一种基于金属衬底的微纳米薄膜温度传感器，其特征在于：所述绝缘层的材料为氧化物；

所述金属粘结层的材料为金属钛；

所述第一极金属传感层、第二极金属传感层的材料为镍基合金；

所述保护层的材料为铜；

所述导线的材料为导电银胶。

7.根据权利要求1所述的一种基于金属衬底的微纳米薄膜温度传感器，其特征在于：所述传感器焊盘裸露。

8.基于权利要求1～7中任一项所述微纳米薄膜温度传感器的制作方法，其特征在于：该制作方法包