CN115615568A 基于金属衬底的微纳米薄膜热流传感器及其制作方法 （中冶赛迪工程技术股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115615568A(43)申请公布日2023.01.17

(21)申请号202211247450.1

(22)申请日2022.10.12

(71)申请人中冶赛迪工程技术股份有限公司

地址400013重庆市渝中区双钢路1号

申请人中冶赛迪技术研究中心有限公司

(72)发明人冯科谭庆漆锐陈南菲杨玉

邓惠丹段青松

C25D

C23C

C23C

C23C

H10N

H10N

H10N

7/00(2006.01)

28/00(2006.01)14/30(2006.01)

14/08(2006.01)10/01(2023.01)

10/17(2023.01)10/854(2023.01)

(74)专利代理机构北京同恒源知识产权代理有

限公司11275专利代理师杨柳岸

(51)Int.CI.

GO1K7/00(2006.01)

GO1K7/02(2021.01)

C23C14/35(2006.01)

C23C14/18(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图4页

(54)发明名称

基于金属衬底的微纳米薄膜热流传感器及其制作方法

(57)摘要

本发明涉及一种基于金属衬底的微纳米薄膜热流传感器及其制作方法，属于传感器技术领域。传感器包括金属基底、金属粘结层I、氧化物陶瓷材料绝缘层I、氧化物陶瓷材料绝缘层II、光刻胶、金属传感层、氧化物陶瓷材料绝缘层III、

CN115615568A氧化物陶瓷材料绝缘层IV、金属粘结层II、金属导电种子层、金属保护层和环氧树脂；制作步骤为：选取用于传感器沉积的金属基底；通过电镀、旋涂、光刻、磁控溅射、电子束蒸发、原子层堆积等工艺步骤将粘结层、绝缘层、传感层、种子层和保护层逐层沉积上去。本发明能有效保障传感器

CN115615568A

CN115615568A权利要求书1/2页

2

1.一种基于金属衬底的微纳米薄膜热流传感器，其特征在于，主要包括金属基底(1)、金属粘结层I(2)、氧化物陶瓷材料绝缘层I(301)、氧化物陶瓷材料绝缘层II(302)、金属传感层(5)、氧化物陶瓷材料绝缘层III(601)、氧化物陶瓷材料绝缘层IV(602)、金属粘结层II(7)、金属导电种子层(8)、金属保护层(9)和环氧树脂；

所述金属基底(1)为衬底，表面溅射有金属粘结层I(2);

所述金属粘结层I(2)的表面依次沉积有氧化物陶瓷材料绝缘层I(301)和氧化物陶瓷材料绝缘层II(302);

所述氧化物陶瓷材料绝缘层II(302)的表面溅射有金属传感层(5);

所述金属传感层(5)由至少两个热电偶回路串联而成；每个热电偶回路包括第一极传感回路和第二极传感回路；

所述第一极传感回路包括依次沉积的金属层I(501)、金属层II(502)和金属层III

(503);

所述第二极传感回路沉积在第一极传感回路的表面，包括依次沉积的金属层IV(504)、金属层V(505)和金属层VI(506);

所述金属层VI(506)和氧化物陶瓷材料绝缘层II(302)的表面沉积有氧化物陶瓷材料绝缘层III(601),氧化物陶瓷材料绝缘层III(601)的表面沉积有氧化物陶瓷材料绝缘层IV

(602);

所述氧化物陶瓷材料绝缘层IV(602)表面溅射有金属粘结层II(7);

所述金属粘结层II(7)表面溅射有金属导电种子层(8);

所述金属导电种子层(8)表面沉积有金属保护层(9);

所述金属保护层(9)表面涂覆环氧树脂。

2.根据权利要求1所述的微纳米薄膜热流传感器，其特征在于：

所述金属基底(1)的厚度范围为50μm～800μm;

所述金属粘结层I(2)、金属粘结层II(7)的厚度范围为10nm～100nm;

所述氧化物陶瓷材料绝缘层I(301)的厚度范围为500nm～1500nm;

所述氧化物陶瓷材料绝缘层II(302)的厚度范围为20nm～100nm;

所述氧化物陶瓷材料绝缘层III(601)的厚度范围为750nm～1800nm;

所述氧化物陶瓷材料绝缘层IV(602)的厚度范围为20nm～100nm;

所述金属层I(501)、金属层III(503)、金属层IV(504)、金属层VI(506)的厚度范围为10nm～100nm;