探测器的基本原理.pptVIP

四、载流子得扩散与漂移1、扩散当材料得局部位置收到光照，材料吸收光子产生载流子，在这局部位置得载流子浓度就比平均浓度高。这时电子将从浓度高得点向浓度低得点运动，是自己在晶体中重新达到均匀分布，这种现象称为扩散。第60页，共107页。单位面积得电流称为扩散电流，正比于光生载流子得浓度梯度。第61页，共107页。2、漂移在外电场作用下，电子向正极方向运动，空穴向负极方向运动，这种运动称为漂移。在电场中，漂移产生得电子（空穴）电流密度矢量为：第62页，共107页。当扩散和漂移同时存在得时候总得电子电流密度矢量和空穴电流密度矢量分别为：总电流密度为两者之和。第63页，共107页。3.2半导体的光电效应光电效应的分类：1、内光电效应：材料在吸收光子能量后，出现光生电子空穴，由此引起电导率变化和电流电压现象，称之为内光电效应。内光电效应制成的器件有两大类：光电导和光生伏特效应的两大器件。含有光敏电阻，SPRITE探测器、光电池、光电二极管、三极管和场效应管等。第64页，共107页。2、外光电效应：当光照射某种物质时，若入射的光子能量足够大，它和物质中的电子互相作用，致使电子逸出表面，这种现象称为外光电效应。外光电效应制成的器件有：光电管，光电倍增管等。第65页，共107页。一、光电导效应当半导体材料受照时，由于对光子得吸收引起载流子浓度得增大，因而导致材料电导率增大，这种现象称为光电导效应。材料对光得吸收有本征型和非本征型两种。第66页，共107页。本征型：光子能量大于材料禁带宽度时，把价带中得电子激发到导带，在价带中留下自由空穴，从而引起材料电导率得增加，即本征型光电效应。非本征型：若光子激发杂质半导体，使电子从施主能级跃迁到导带或从价带跃迁到受主能级，产生光生自由电子或空穴，从而增加材料得电导率，即非本征光电导效应。第67页，共107页。1、光电流材料样品两端涂有电极，加载一定得弱电场，在样品的垂直方向加上均匀的光照，入射功率为常数时，所得到的光电流为稳态光电流。第68页，共107页。无光照时，常温下的样品具有一定的热激发载流子浓度，因而样品具有一定的暗电导率。样品在有光照的条件下，吸收光子产生光生载流子浓度用Δn和Δp表示。光照稳定的条件下的电导率为：附加的电导率称之为光电导率，能够产生光电导效应的材料称为光电导材料。第69页，共107页。令：则：b为迁移比。光电导灵敏度定义为单位入射光辐射功率所产生的光电导率。光电导灵敏度表达式第70页，共107页。可见，要制成光电导率高的器件，应该使n0和P0有较小数值，因此光电导器件一般是由高阻材料(n0,P0较小)或者在低温下使用(n0，p0较少)第71页，共107页。下面我们看一下光电流密度的求解：首先：g为载流子产生率，为寿命。若入射光功率为Φs，载流子产生率与光功率的关系：第72页，共107页。第73页，共107页。2、响应时间（1）光电导驰豫过程光电导材料从光照开始获得稳定的光电流学要一定的时间，当光照停止后光电流逐渐消失，这种现象称为光电导驰豫现象。（2）上升响应时间光生载流子浓度上升到稳态值的63％所需的时间为光电探测器上升响应时间。此时光生载流子浓度：第74页，共107页。（3）下降时间光照停止以后光生载流子下降到稳定值的37％时所需要的时间为下降时间。此时光生载流子浓度的变化为：第75页，共107页。这种杂质的能级紧靠价带顶处，?EA10-1eV，价带中的电子极易跃入此杂质能级，使价带中产生空穴。这种杂质能级因接受电子而称受主(acceptor)能级。·这种搀杂使价带中的空穴的浓度较纯净半导体的空穴的浓度增加了很多倍，从而使半导体的导电性能增强。这种杂质半导体称空穴型半导体，或p型半导体。导电机制：主要是由价带中空穴的运动形成的。第28页，共107页。杂质半导体的示意图++++++++++++N型半导体多子—电子少子—空穴－－－－－－－－－－－－P型半导体多子—空穴少子—电子少子浓度——与温度有关多子浓度——与温度无关第29页，共107页。二、热平衡条件下的载流子的浓度载流子浓度：是指单位体积内的载流子数。激发：电子从不断热振动的晶体中获得一定的能量，从价带跃迁到导带形成自由电子，同时在价带中出现自由空穴。复合：在热激发的同时也有电子从导带跃迁到价带并向晶格放出能