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GB/T12273.6—××××/IEC60122-4:2019
A
A
附录A
(资料性)
有热敏电阻的晶体元件的频率稳定性效应
A.1目的
详细描述有热敏电阻的晶体元件和频率稳定性效应,并举例说明。
A.2常规晶体元件与有热敏电阻晶体元件的比较
图A.1显示了使用独立晶体元件和热敏电阻的常规温度补偿晶体振荡器(TCXO)。图中描述了在
印制电路板(PCB)上的晶体元件和热敏电阻。
热敏电阻根据环境温度提供电压,该电压从模拟数据转换为数字数据。数字数据由预设存储器中拾
取相应的电压数据。该电压数据再转换为模拟电压并控制压控晶体振荡器(VCXO)以补偿频率。热敏电
阻的电压与晶体的实际温度的对应越接近,则补偿精度越高。
然而,在这种结构中,由于每个元件的位置不同,晶片和热敏电阻之间的温差较大,即晶片和热敏
电阻的温度主要取决于PCB上其他产生热量的部件的位置。由于该温差的存在,补偿频率的稳定性不容
忽视。
图A.1常规温度补偿晶体振荡器
图A.2示出了在PCB上的有热敏电阻的晶体元件。
频率补偿系统与图A.1所示相同,但是区别在于使用带热敏电阻的晶体单元。
在此结构中,由于热敏电阻放置在晶体附近,晶片和热敏电阻之间的温差小,因此具有更优的频率
补偿稳定性。
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GB/T12273.6—××××/IEC60122-4:2019
图A.2使用有热敏电阻的晶体元件的振荡器概念图
A.3有热敏电阻的晶体元件的验证试验
A.3.1测试条件
有热敏电阻的晶体元件和热敏电阻安装在一个试验PCB上。将试验PCB放入温箱中,从-30℃到90℃
改变温度,测量晶体元件的频率、晶体元件内的热敏电阻值和PCB上的热敏电阻值(见图A.3)。
升温条件如下:
——试验1:热敏电阻的电阻值取自有热敏电阻的晶体元件;升温速率为0.2℃/min。升温速率很
慢,在晶体和热敏电阻之间不会产生温差。
——试验2:热敏电阻的电阻值取自安装在测试PCB上的热敏电阻;升温速率为5℃/min,比试验
1快25倍。
——试验3:热敏电阻的电阻值取自有热敏电阻的晶体元件;升温速率为5℃/min,比试验1快25
倍。
图A.3测试条件
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GB/T12273.6—××××/IEC60122-4:2019
A.3.2测试结果
试验1被认为是真实的晶体温度特性。试验2和试验3的升温速率更快,试验3在温度特性方面比
试验2更接近试验1。(见图A.4)。
图A.4测试结果
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A.4有热敏电阻的晶体元件结构示例
A.4.1结构
热敏电阻有两种安装位置:安装在基座内部(图A.5)或基座外部(图A.6)。
a)基座内装有热敏电阻的晶体元件
基座内部的热敏电阻(图A.5)特点
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