CN114475044B 光学防伪元件及其制作方法、防伪产品 （中钞特种防伪科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114475044B(45)授权公告日2023.03.10

(21)申请号202011258235.2

(22)申请日2020.11.11

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114475044A

(43)申请公布日2022.05.13

(73)专利权人中钞特种防伪科技有限公司

地址100070北京市丰台区科学城星火路6

号

专利权人中国印钞造币集团有限公司

(72)发明人胡春华张宝利朱军

(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限公司11283

专利代理师肖冰滨王晓晓

(51)Int.CI.

B42D25/30(2014.01)

B42D25/328(2014.01)

B42D25/373(2014.01)

B42D25/40(2014.01)

B42D25/45(2014.01)

B42D25/455(2014.01)

B42D25/46(2014.01)

GO2B3/00(2006.01)

(56)对比文件

CN102975568A,2013.03.20

CN106808835A,2017.06.09

CN109070622A,2018.12.21

CN1423598A,2003.06.11

EP3284612A1,2018.02.21审查员刘丹萍

权利要求书2页说明书10页附图2页

(54)发明名称

光学防伪元件及其制作方法、防伪产品

(57)摘要

CN114475044B本发明实施例提供一种光学防伪元件，光学防伪元件包括：微透镜阵列层；微图文阵列层；其中，微图文阵列层包含微图文区域和微图文背景区域；微图文区域和微图文背景区域的表面起伏的形状不同；和/或在微图文区域和微图文背景区域设有高度差；以使微透镜陈列层和微图文阵列层在采样合成下，所成像的图文区域和/或图文背景区域具有不同的视觉特征。尤其，随着观

CN114475044B

CN114475044B权利要求书1/2页

2

1.一种光学防伪元件，其特征在于，所述光学防伪元件包括：

微透镜阵列层，具有微透镜阵列；

微图文阵列层，包括涂布光变膜，所述涂布光变膜包括从所述微图文阵列层表面依次层叠的吸收层、介电层和反射层，介电层由湿涂工艺形成；

其中，所述微图文阵列层包括微图文区域和微图文背景区域；所述微图文区域和所述微图文背景区域的表面起伏的形状不同；和/或所述微图文区域和所述微图文背景区域的高度不同，由此从所述微透镜阵列层一侧观察，所述微透镜阵列能够对所述微图文阵列层进行采样合成从而形成呈现不同视觉特征的图文区域和图文背景区域。

2.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述不同视觉特征为所述图文区域和所述图文背景区域其中一者具有依赖观察角度的颜色变化特征而另一者不具有依赖观察角度的颜色变化特征，或者所述图文区域和所述图文背景区域具有不同的依赖观察角度的颜色变化特征。

3.根据权利要求2所述的光学防伪元件，其特征在于，所述微图文区域和所述微图文背景区域的表面起伏形状的横截面为平坦结构、矩形、锯齿形、正弦形中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的光学防伪元件，其特征在于，所述微图文区域的表面起伏形状和所述微图文背景区域的表面起伏形状中的至少一者是平坦结构。

5.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述微图文区域和所述微图文背景区域的高度差的范围为50nm至600nm。

6.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述微透镜阵列和所述微图文阵列中的至少一者的周期的范围为10um至100um。

7.根据权利要求6所述的光学防伪元件，其特征在于，所述微透镜阵列的焦距的范围为5um至100um。

8.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述微图文阵列的线条尺寸的最小值小于15um。

9.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述介电层的两个侧面的起伏形状是不同的。

10.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述微透镜阵列层和所述微图文阵列层的材料相同。

11.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述光学防伪元件还包括：

基材，包括第一表面和第二表面；

其中，所述微透镜阵列层至少部分覆盖所述第一表面，所述微图文