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2026年1月26日

先进封装行业深度：发展趋势、竞争格局、市场空间、产业链及相关公司深度梳理

2026年1月15日，台积电召开2025Q4交流会，对2026年的资本开支指引为520-560亿美元（2025年409亿，显著上修至多36.9%），其中先进封装、测试及掩膜版制造等的投入比例占10-20%。随台积电进一步上调资本开支，有望提振先进制程扩产预期；高端先进封装作为AI芯片必选项，有望随制造端产能释放同步爬坡放量，相关需求或将显著提振。随着AI建设的持续，先进封装相关的产能逐步满产，有望迎来涨价，国内相关公司将受益于这波AI投资带来的景气周期。

围绕先进封装行业，下面我们从其与传统封装差异、发展思路及趋势、当前竞争格局、市场规模进行分析，并对其产业链及相关公司进行梳理，希望帮助大家更多了解先进封装行业发展情况。

目录

一、先进封装概述 1

二、先进封装发展思路 4

三、封装技术发展趋势 5

四、先进封装竞争格局 10

五、先进封装产业链及产业政策梳理 13

六、先进封装市场规模 15

七、先进封装相关公司 17

八、参考研报 19

一、先进封装概述

1.先进封装

半导体封装，是一种用于容纳、包覆一个或多个半导体器件或集成电路的载体/外壳，外壳的材料可以是金属、塑料、玻璃、或者是陶瓷。封装的的功能可以拆解为机械保护、电气连接、散热、机械连接四大维度。

封装的工艺步骤包含了背面研磨、切割、单芯片键合、引线连接、成型等。

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2.先进封装与传统封装

先进封装是指处于当时最前沿的封装形式和技术。传统封装是为了保护芯片、提供连接；先进封装是为了通过更高效、更紧凑、更灵活的方式连接芯片和芯片内的各个部分，从而间接地、系统性地提升整体芯片/系统性能和功能。

3.封装流程

半导体封装流程主要包含了背部研磨；划片、拾取和放置；键合；塑封等。第一阶段为晶圆处理与切割。

包含了来料检查、贴膜、磨片、贴片和划片等步骤。第二阶段为组装与互联。包含了装片、键合等环节。第三阶段为封装与后处理。包含了塑封、去毛刺和电镀、切筋打弯等步骤。第四阶段为测试与出货，包含了品质检测和产品出货等。

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4.先进封装崛起

2019年到2029年先进封装的CAGR达8.9%；从2019年到2029年，先进封装占封装行业比例从45.6%攀升至50.9%。

市场规模层面：先进封装正在崛起，并将超越传统封装占据主要地位。单元数量层面：传统封装仍然是市场的主流，占据绝对的数量优势。晶圆消耗量层面：传统封装仍然消耗更多的晶圆，但先进封装的晶圆消耗量占比也在逐步提升。不同封装平台中，ED和2.5D/3D预计将是增长最快的领域。先进封装市场份额趋势与异构集成趋势一致。

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二、先进封装发展思路

1.半导体封装发展的核心思路

先进封装的主要特征包含：高速信号传输、堆叠、高可靠性、低成本、小型化、散热性有保障等。

与之对应，半导体封装的核心思路有：提升电气性能、提高集成度与小型化、降低成本、增强可靠性与散热性和适应新型应用需求。

半导体封装经历了通孔插装技术、表面贴装技术（周边引脚）、表面贴装技术（阵列引脚）、3D集成等发展阶段。

2.Bump、RDL、Wafer、TSV技术赋能先进封装

Bump（凸块/焊球）:在芯片焊盘上制作的微小金属凸起结构，通常为焊锡球，作为倒装芯片封装中芯片与基板间电气和机械连接的关键互连结构

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RDL（重布线）：在芯片或封装基板表面沉积的金属层，用于将芯片内部的焊盘(Pad)位置重新布线和引出，以适应封装外部互连的需求，实现扇出(Fan-out)和更灵活的封装引脚布局。

Wafer（晶圆级封装）：在整个晶圆完成芯片制造工艺后，在晶圆层面而非单颗芯片层面进行封装和互连工艺。

TSV（硅通孔）：一种垂直穿透硅晶圆或芯片的微型金属化孔道，用于在三维(3D)集成电路中实现芯片之间的垂直互连，从而显著缩短互连距离，提高集成密度和性能。

三、封装技术发展趋势

1.引线键合、倒片封装、晶圆级封装

引线键合工艺是将导电金属线焊接在一起以形成电连接的过程。

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倒装芯片封装是一种将芯片有源面朝下，通过焊