CN114245583A 用于芯片冷却的流道结构及其制作方法 （华进半导体封装先导技术研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114245583A布日2022.03.25

(21)申请号202111548477.X

(22)申请日2021.12.17

(71)申请人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

地址214028江苏省无锡市新区菱湖大道

200号中国传感网国际创新园D1栋申请人上海先方半导体有限公司

(72)发明人陈钏周云燕陈海英曹立强

(74)专利代理机构上海智晟知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)31313代理人张东梅

(51)Int.CI.

H05K3/00(2006.01)

H05K1/02(2006.01)

HO1L23/473(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图3页

(54)发明名称

用于芯片冷却的流道结构及其制作方法

(57)摘要

CN114245583A本发明提供了一种用于芯片冷却的流道结构及其制作方法，包括：至少一个第一肋片，布置于流道第一侧壁面，所述第一肋片沿第一方向延伸以用于沿第一方向引导流道中的冷却液；以及至少一个第二肋片，布置于流道第二侧壁面，所

CN114245583A

CN114245583A权利要求书1/1页

2

1.一种用于芯片冷却的流道结构，其特征在于，包括：

至少一个第一肋片，布置于流道第一侧壁面，所述第一肋片沿第一方向延伸以用于沿第一方向引导流道中的冷却液；以及

至少一个第二肋片，布置于流道第二侧壁面，所述第二肋片沿第二方向延伸以用于沿第二方向引导流道中的冷却液，其中所述第一肋片与第二肋片彼此相交并在相交处彼此连通。

2.如权利要求1所述的用于芯片冷却的流道结构，其特征在于，所述第一方向和第二方向交叉，以使每个第一肋片至少与一个第二肋片相交，以使流体在流道内部流动时，沿第一肋片和/或第二肋片的延伸方向流动，和/或在第一肋片和第二肋片的相交处出现扰动和旋转。

3.如权利要求2所述的用于芯片冷却的流道结构，其特征在于，所述第一肋片垂直于流道侧壁面的宽度为流道宽度的一半，所述第二肋片垂直于流道侧壁面的宽度为流道宽度的一半，以使所述第一肋片和所述第二肋片的侧壁相接触且不相干涉；

或根据流体的速度、散热功率的大小、工艺难易度调整肋片的宽度，使得第一肋片和第二肋片在相交处干涉，且第一肋片和第二肋片不封堵流道；

或第一肋片和第二肋片不接触，流体能够直接从第一肋片和第二肋片之间的空隙穿过。

4.如权利要求3所述的用于芯片冷却的流道结构，其特征在于，每个所述第一肋片由流道顶面延伸至流道底面，每个所述第二肋片由流道顶面延伸至流道底面；

或第一肋片和/或第二肋片不延伸至流道顶面和/或流道底面。

5.如权利要求4所述的用于芯片冷却的流道结构，其特征在于，所述流道顶面和流道底面具有盖合密封板，所述第一肋片的两端分别与流道顶面的盖合密封板和流道底面的盖合密封板密合；所述第二肋片的两端分别与流道顶面的盖合密封板和流道底面的盖合密封板密合。

6.如权利要求4所述的用于芯片冷却的流道结构，其特征在于，流道结构中通过第一肋片和第二肋片在相交处接触且不相互干涉，形成顶面空隙和底面空隙，流体经过每个相交处的迎流侧时被分流为顶面流和底面流，并在该相交处背流侧再次交汇，流向下一个相交处。

7.如权利要求1所述的用于芯片冷却的流道结构，其特征在于，相邻的两个第一肋片之间的空间为一个流体容腔，或相邻的两个第二肋片之间的空间为一个流体容腔，两个相邻的流体容腔分别作为流入口和流出口，或流道的最顶端的两个流体容腔分别作为流入口和流出口。

8.如权利要求1所述的用于芯片冷却的流道结构，其特征在于，流道截面宽为0.1~2mm,流道截面深为0.1～5mm,两个相邻流道之间的间距为0.1～2mm,第一肋片和第二肋片的倾斜度为15°~75°,第一肋片和第二肋片的材料为金属或硅。

9.一种如权利要求1所述的用于芯片冷却的流道结构的制作方法，其特征在于，通过机械加工或3D打印的方式获取该流道结构，通过热界面材料粘接或焊接方式将该流道结构固定在芯片表面。

10.一种散热体，其特征在于，包括如权利要求1所述的用于芯片冷却的流道结构。

CN114245583A说明书