CN114284290A 三维存储器及其制作方法 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114284290A

(43)申请公布日2022.04.05

(21)申请号202111647171.X

(22)申请日2021.12.30

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人张坤吴林春

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570

代理人孟霞

(51)Int.CI.

HO1L27/1157(2017.01)

HO1L27/11575(2017.01)

H01L27/11582(2017.01)

权利要求书4页说明书14页附图13页

(54)发明名称

三维存储器及其制作方法

(57)摘要

CN114284290A本发明涉及一种三维存储器及其制作方法，包括：在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构在平行于衬底的横向上的一端形成台阶结构；形成覆盖于台阶结构上的绝缘覆盖层；在台阶结构上形成冗余沟道孔，冗余沟道孔在垂直于衬底的纵向上延伸，冗余沟道孔的顶端部位于绝缘覆盖层中，且冗余沟道孔不贯穿台阶结构；在冗余沟道孔中形成冗余沟道结构；形成在纵向上延伸且贯穿冗余沟道结构和台阶结构的虚拟沟道结构，虚拟沟道结构在衬底上的正投影位于冗余沟道结构在衬底上的正投影内，从而在三维存储器的形成工艺中，能够减小虚拟沟道结构的顶部尺寸和底部尺寸的差异，进而有利于增大形成接触插塞时的

CN114284290A

—S11

—S11

在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构在平行于衬底的横向上的一端形成台阶结构

形成覆盖于台阶结构上的绝缘覆盖层

-S13

在台阶结构上形成冗余沟道孔，冗余沟道孔在垂直于衬底

的纵向上延伸，冗余沟道孔的顶端部位于绝缘覆盖层中，

且冗余沟道孔不贯穿台阶结构

-S14

在冗余沟道孔中形成冗余沟道结构

-S15

形成在纵向上延伸且贯穿冗余沟道结构和台阶结构的虚拟

沟道结构，虚拟沟道结构在衬底上的正投影位于冗余沟道

结构在衬底上的正投影内

CN114284290A权利要求书1/4页

2

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构在平行于所述衬底的横向上的一端形成台阶结构；

形成覆盖于所述台阶结构上的绝缘覆盖层；

在所述台阶结构上形成冗余沟道孔，所述冗余沟道孔在垂直于所述衬底的纵向上延伸，所述冗余沟道孔的顶端部位于所述绝缘覆盖层中，且所述冗余沟道孔不贯穿所述台阶结构；

在所述冗余沟道孔中形成冗余沟道结构；

形成在所述纵向上延伸且贯穿所述冗余沟道结构和所述台阶结构的虚拟沟道结构，所述虚拟沟道结构在所述衬底上的正投影位于所述冗余沟道结构在所述衬底上的正投影内。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述冗余沟道孔中形成冗余沟道结构，具体包括：

在所述冗余沟道孔中填充绝缘材料，以形成冗余沟道结构。

3.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述冗余沟道孔中形成冗余沟道结构，具体包括：

在所述冗余沟道孔的侧壁上形成刻蚀停止层；

形成位于所述刻蚀停止层表面上且填充所述冗余沟道孔中剩余空间的第一绝缘层，以形成包括所述刻蚀停止层和所述第一绝缘层的冗余沟道结构，其中，所述虚拟沟道结构在所述衬底上的正投影边界位于所述刻蚀停止层在所述衬底上的正投影边界内。

4.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述堆叠结构包括在所述纵向上堆叠设置的第一堆栈结构和第二堆栈结构，所述在衬底上形成堆叠结构，具体包括：

在衬底上形成第一堆栈结构，所述第一堆栈结构包括在台阶区和在平行于所述衬底的横向上与所述台阶区连接的核心区；

形成在所述核心区中穿过所述第一堆栈结构的第一沟道孔；

在所述第一沟道孔中形成牺牲材料层；

在所述第一堆栈结构和所述牺牲材料层上形成第二堆栈结构；

去除所述台阶区上的部分所述第二堆栈结构和所述台阶区中的部分所述第一堆栈结构，以形成所述台阶结构。

5.根据权利要求4所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述三维存储器的制作方法还包括：

形成在所述核心区上穿过所述第二堆栈结构的第二沟道孔，所述第二沟道孔与所述第一沟道孔相连通，且所述第二沟道孔与所述冗余沟道孔通过同一工艺步骤形成。

6.根据权利要求5所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述三维存