CN113039486B 可用于下一代光刻法中的硬掩模制作方法 （朗姆研究公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113039486B(45)授权公告日2024.11.12

(21)申请号201980075389.7

(22)申请日2019.11.11

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113039486A

(43)申请公布日2021.06.25

(30)优先权数据

62/767,1982018.11.14US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2021.05.14

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2019/0607422019.11.11

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2020/102085EN2020.05.22

(73)专利权人朗姆研究公司地址美国加利福尼亚州

(72)发明人蒂莫西·威廉·威德曼

卡蒂·纳尔迪吴呈昊

(74)专利代理机构上海胜康律师事务所31263专利代理师樊英如张静

(51)Int.CI.

GO3F7/004(2006.01)

GO3F7/11(2006.01)

GO3F7/20(2006.01)

(56)对比文件

US2017146909A1,2017.05.25

US2018294155A1,2018.10.11

审查员郭艳风

权利要求书3页说明书10页附图14页

(54)发明名称

可用于下一代光刻法中的硬掩模制作方法

(57)摘要

衬底的表面上的成像层可以使用下一代光刻技术进行图案化，而产生的图案化膜可被使用

作为例如用于半导体装置生产的光刻掩模。120

130

140

CN

CN113039486B

沉积底层

沉积成像层

EUV暴露

任选的烘烤

处理表面

CN113039486B权利要求书1/3页

2

1.一种在衬底上制作成像层的方法，所述方法包含：

提供衬底，所述衬底具有包含暴露的羟基基团的表面；以及

在所述衬底的所述表面上形成烃基封端的SnQ膜以作为成像层，所述烃基封端的Sn0、膜具有锡-碳键，所述锡-碳键能通过照射所述成像层而裂解。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述烃基封端的SnO膜包含：使所述衬底的所述表面与烃基取代的锡封端剂接触，所述烃基取代的锡封端剂在进行所述成像层的所述照射时经历锡-碳键裂解。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述烃基取代的锡封端剂作为封闭剂，以防止来自与所述表面接触的溶液的可溶性金属氧化物前体的附着或生长。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中所述烃基取代的锡封端剂具有下式：

RSnX4-n

其中，R为C?-C??烷基或包含β-氢的取代烷基，X为在与所述暴露的羟基基团的羟基基团反应时的离去基团，以及n=1-3。

5.根据权利要求4所述的方法，其中R选自于由叔丁基、叔戊基、叔己基、环己基、异丙基、异丁基、仲丁基、正丁基、正戊基、正己基、以及其在β位置上具有杂原子取代基的衍生物所组成的群组。

6.根据权利要求4所述的方法，其中X选自于由二烷基酰胺基、醇、以及卤素所组成的群

组。

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述烃基取代的锡封端剂选自于由叔丁基三(二甲基氨基)锡、正丁基三(二甲基氨基)锡、叔丁基三(二乙基氨基)锡、二(叔丁基)二(二甲基氨基)锡、仲丁基三(二甲基氨基)锡、正戊基三(二甲基氨基)锡、异丁基三(二甲基氨基)锡、异丙基三(二甲基氨基)锡、叔丁基三(叔丁氧基)锡、正丁基三(叔丁氧基)锡和异丙基三(叔丁氧基)锡所组成的群组。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述衬底包含非晶碳(a-C)、Sn0、SiO?、SiON、SiOC、Si?N?、TiO?、TiN、W、W-掺杂C、WOHfO?、ZrO?、Al?0?或Bi?0?。

9.根据权利要求1-3其中任一项所述的方法，其中所述提供包含在所述衬底的所述表面上形成羟基封端的Sn?层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述形成包含通过气相沉积在所述表面上沉积羟基封端的Sn?层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述沉积包含Sn-X与含氧相对反应物的反应，其中X为二烷基酰胺基、醇、或卤素。

12.根据权利要求11所述的方法，其中Sn-X是SnCl?、SnI?或Sn(NR?)4,其中R为甲基或乙基、或Sn(t-Bu0)4。

13.根据权利要求11所