CN112968123B 一种柔性薄膜式压电声发射传感器及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112968123B(45)授权公告日2022.11.04

(21)申请号202110152803.9

(22)申请日2021.02.04

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112968123A

(43)申请公布日2021.06.15

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人杨成韬孙星林茹子雄肖盼

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

专利代理师霍淑利

(51)Int.CI.

HO1L41/053(2006.01)

HO1L41/113(2006.01)

H01L41/31(2013.01)

G01D5/48(2006.01)

(56)对比文件

JP2001223407A,2001.08.17CN101630946A,2010.01.20

CN109802645A,2019.05.24

CN110149100A,2019.08.20

WO2018168168A1,2018.09.20JP2005050830A,2005.02.24JP2010109528A,2010.05.13US2011205310A1,2011.08.25

审查员张羽豪

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种柔性薄膜式压电声发射传感器及其制

作方法

→6

→6

CN112968123B本发明涉及一种柔性薄膜式压电声发射传感器，属于电力工程技术领域。本发明的柔性薄膜式压电声发射传感器，除压电薄膜晶片外，所有组成部分均具有柔性；而压电薄膜晶片虽然不具有柔性，但其尺寸很小，因而可以适应弯曲的表面。实际测试中，本发明的传感器足以适应曲率半径为80mm的球面，克服了传统的声发射传感器厚度大、不易适应弯曲表面的缺点。此外，本发明的传感器中的薄膜式铜导线可以做得很长，因

CN112968123B

CN112968123B权利要求书1/1页

2

1.一种柔性薄膜式压电声发射传感器，其特征在于，包括柔性绝缘薄膜基底(1),所述柔性绝缘薄膜基底(1)的第一表面上间隔设置有第一铜导线(2)和第二铜导线(3),第一铜导线(2)和第二铜导线(3)之间设置有第二导电银浆(6),第二导电银浆(6)与第二铜导线(3)相连，第二导电银浆(6)与第一铜导线(2)之间保持足够的距离以防发生短路；所述第一铜导线(2)和所述第二铜导线(3)之间设置有压电薄膜晶片(5),所述压电薄膜晶片(5)具有顶电极(8)和底电极(9);所述压电薄膜晶片(5)的底电极(9)通过第二导电银浆(6)与所述第二铜导线(3)连接，所述压电薄膜晶片(5)的顶电极(8)通过第一导电银浆(7)与所述第一铜导线(2)连接；所述柔性绝缘薄膜基底(1)和所述压电薄膜晶片(5)上设置有绝缘胶带(4)用于对器件进行封装；

所述柔性绝缘薄膜基底(1)的与所述第一表面相反的第二表面上设置有第一金属屏蔽层(10);所述绝缘胶带(4)上设置有第二金属屏蔽层(11)。

2.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜式压电声发射传感器，其特征在于，所述柔性绝缘薄膜基底(1)所使用的材料为PI。

3.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜式压电声发射传感器，其特征在于，所述压电薄膜晶片(5)为铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜式压电声发射传感器，其特征在于，所述绝缘胶带(4)所使用的材料为PI。

5.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜式压电声发射传感器，其特征在于，所述第一金属屏蔽层(10)和第二金属屏蔽层(11)所使用的材料为铝、铜、铂、金或钼。

6.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜式压电声发射传感器，其特征在于，所述传感器的厚度小于200微米。

7.一种权利要求1-6任一项所述的一种柔性薄膜式压电声发射传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

使用掩膜版和采用磁控溅射的方式，制备压电薄膜晶片(5)的顶电极(8)和底电极(9);在所述柔性绝缘薄膜基底(1)上形成间隔设置的第一铜导线(2)和第二铜导线(3);

在所述第一铜导线(2)和所述第二铜导线(3)之间涂抹银浆，形成第二导