CN110223987A 显示面板及其制作方法以及显示设备 （香港科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110223987A

(43)申请公布日2019.09.10

(21)申请号201910388640.7

(22)申请日2019.05.10

(71)申请人香港科技大学

地址中国香港九龙清水湾道香港科技大学

(72)发明人陆磊

(74)专利代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司44205

代理人谭英强

(51)Int.CI.

H01L27/12(2006.01)

H01L27/32(2006.01)

H01L29/41(2006.01)

H01L21/77(2017.01)

权利要求书1页说明书6页附图5页

(54)发明名称

显示面板及其制作方法以及显示设备

(57)摘要

CN110223987A本发明公开了一种显示面板及其制作方法以及显示设备，所述显示面板包括若干个薄膜晶体管、中间绝缘层、公共电极以及光电材料；所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层上覆盖有透气叠层，所述有源层的两端分别形成漏区和源区，所述漏区和源区上覆盖有不透气叠层；所述中间绝缘层设置在光电材料和薄膜晶体管之间；其中，所述漏区或者源区的延伸部分形成扩展电极，所述扩展电极与光电材料电连接。本发明利用漏区或者源区的延伸部分形成扩展电极，替代传统方案中额外增加的透明氧化物导体像素电极，本发明能够减少工艺步骤，降低成本；同时能

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CN110223987A权利要求书1/1页

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1.一种显示面板，其特征在于：包括若干个薄膜晶体管、中间绝缘层、公共电极以及光电材料；

所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层上覆盖有透气叠层，所述有源层的两端分别形成漏区和源区，所述漏区和源区上覆盖有不透气叠层；

所述中间绝缘层设置在光电材料和薄膜晶体管之间；

其中，所述漏区或者源区的延伸部分形成扩展电极，所述扩展电极与光电材料电连接。

2.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于：所述透气叠层包括若干个透气绝缘层和/或透气导体层。

3.根据权利要求2所述的一种显示面板，其特征在于：所述透气绝缘层包括氧化硅和/或氮氧化硅；

其中，氮氧化硅中的氮化硅含量小于20%;

所述透气导体层包括一种或者多种导电金属氧化物。

4.根据权利要求2或3所述的一种显示面板，其特征在于：所述透气绝缘层的厚度范围为100纳米到500纳米。

5.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于：所述不透气叠层包括至少一个不透气绝缘层或者至少一个不透气导体层。

6.根据权利要求5所述的一种显示面板，其特征在于：所述不透气绝缘层包括氧化铝、氧化铪、氮化硅和/或氮氧化硅；

其中，氮氧化硅中的氮化硅含量大于20%;

所述不透气导体层由一种或者多种金属组成。

7.根据权利要求5或6所述的一种显示面板，其特征在于：所述不透气绝缘层的厚度范围为100纳米到500纳米。

8.一种显示设备，其特征在于：包括至少一个处理器，以及至少一个如权利要求1-7所述的显示面板，所述处理器用于控制显示面板显示。

9.一种显示面板的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

在衬底上直接或者间接地沉积金属氧化物薄膜；

在金属氧化物薄膜的上方沉积透气叠层和不透气叠层，使金属氧化物薄膜被分为一个被透气叠层所覆盖的区域以及两个被不透气叠层所覆盖的区域；

在氧化气氛进行退火，使两个金属氧化物薄膜中被不透气叠层覆盖的区域分别形成源区和漏区；

使金属氧化物薄膜的一部分与光电材料连接；使得所述金属氧化物薄膜与光电材料连接的部分形成扩展电极；

其中，退火时间为10秒至10小时，退火温度为100℃至600℃。

10.根据权利要求9所述的一种显示面板的制作方法，其特征在于：所述退火时间为30分钟到2小时，退火温度为250℃到400℃,使得源区和漏区的电阻率降至0.1Ω·cm以下。

CN110223987A说明书1/6页

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显示面板及其制作方法以及显示设备

技术领域

[0001]本发明涉及半导体显示