CN109767798A 存储器元件及其制作方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN109767798A布日2019.05.17

(21)申请号201811170222.2

(22)申请日2018.10.08

(30)优先权数据

62/584,3562017.11.10US

16/037,2812018.07.17US

(71)申请人旺宏电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16

号

(72)发明人吕函庭

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任

公司11021代理人任岩

(51)Int.CI.

G11C11/4063(2006.01)

G11C11/4074(2006.01)

权利要求书6页说明书24页附图28页

(54)发明名称

CN109767798

CN109767798A

(57)摘要

本发明公开了一种存储器元件及其制造方法，该存储器元件包括用于执行积项和操作的一立体存储单元阵列，立体存储单元阵列中的多个存储单元设置在多条垂直线与多条水平线的交叉点上，这些存储单元具有多个可写入电导。一栅极驱动器，耦接至多条栅极线，用来施加控制栅极电压，以结合存储单元的可写入电导来对应积项和操作中的多个乘积项的权重Wxyz。一输入驱动器，用来施加多个电压至立体存储单元阵列中的存储单元，以对应多个输入变量Xy。一感测电路感测来自立体存储单元阵列中的存储单元的电流总和，以对应积项和。

CN109767798A权利要求书1/6页

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1.一种存储器元件，包括：

具有多个存储单元的一立体存储单元阵列，用于执行一积项和(sum-of-products)操作，该立体存储单元阵列中的这些存储单元被设置在多条垂直线与多条水平线的多个交叉点(cross-points)上，其中这些存储单元具有多个可写入电导(programmable

conductances);

一栅极驱动器(gatedriver),耦接至用来施加多个控制栅极电压(controlgatevoltages)的多条栅极线，其中这些控制栅极电压结合这些存储单元的这些可写入电导，用以对应该积项和操作中多个乘积项(terms)的多个权重Wxyz;

一输入驱动器(inputdriver),用来施加多个电压至该立体存储单元阵列中的这些存储单元，以对应多个输入变量Xy;以及

一感测电路(sensingcircuit),用来感测从该立体存储单元阵列中的这些存储单元的一电流总和，以对应该积项和。

2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中：

该多条垂直线和该多条水平线的其中一个包括多条存储单元本体线(cellbodylines),该多条垂直线与该多条水平线的另一个包括这些栅极线；

每一这些存储单元本体线包括沿着该存储单元本体线平行延伸的多条第一导线、多条第二导线，以及多个存储单元本体(cellbodies),这些存储单元本体包括位于这些存储单元本体线与这些栅极线的交叉点上的多个电荷储存结构(chargestoragestructures);这些存储单元本体连接在这些第一导线与这些第二导线之间，且配置来作为该立体存储单元阵列中的这些存储单元的多个第一源/漏极端、多个第二源/漏极端和多个通道；以及

每一这些栅极线包括配置来作为该立体存储单元阵列中这些存储单元的控制栅极(controlgates)的一导体，该导体邻接于这些电荷储存结构；该存储器元件还包括：

多条输入线，连接至该输入驱动器并连接至这些存储单元本体线中的这些第一导线；以及

多条输出线，连接至该感测电路并连接至这些存储单元本体线中的这些第二导线。

3.根据权利要求2所述的存储器元件，其中这些存储单元本体线包括多个半导体条带(semiconductorstrips),每一这些半导体条带具有配置来作为该第一导线的一第一导电掺杂区(conductivelydopedregion)、配置来作为该第二导线的一第二导电掺杂区以及位于该第一导电掺杂区与该第二导电掺杂区之间的一第三区，该第三区具有这些存储单元的这些通道的一掺杂轮廓(doping