CN109585465A 制作图像传感器的方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN109585465A布日2019.04.05

(21)申请号201711216488.1

(22)申请日2017.11.28

(30)优先权数据

15/718,3182017.09.28US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力

行六路八号

(72)发明人蔡伯宗

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243

代理人顾伯兴

(51)Int.CI.

HO1L27/146(2006.01)

权利要求书1页说明书10页附图12页

(54)发明名称

制作图像传感器的方法

(57)摘要

CN109585465A一种制作图像传感器的方法包括：在衬底中植入第一掺杂剂；移除所述衬底的一部分以界定突出部；在所述突出部之上形成导电特征；以及在所述突出部中植入第二掺杂剂。所述移除所述衬底的所述一部分界定环绕所述突出部的第一

CN109585465A

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在衬底中植入第一掺杂剂

在衬底中植入第一掺杂剂

移除衬底的一部分以形成突出部及主体

在突出部之上形成电极

移除电极的一部分以暴露出突出部的顶表面及主体的顶表面

在主体中植入第二掺杂剂

在突出部的上部部分中植入第三掺杂剂

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CN109585465A权利要求书1/1页

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1.一种制作图像传感器的方法，其特征在于，包括：

在衬底中植入第一掺杂剂；

移除所述衬底的一部分以界定突出部，其中所述移除所述衬底的所述一部分界定环绕所述突出部的第一表面；

在所述突出部之上形成导电特征；以及

在所述突出部中植入第二掺杂剂，其中所述第二掺杂剂具有与所述第一掺杂剂相同的导电类型。

CN109585465A说明书1/10页

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制作图像传感器的方法

技术领域

[0001]本发明实施例涉及一种制作图像传感器的方法。

背景技术

[0002]半导体图像传感器被用于检测例如可见光等辐射。互补金属氧化物半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOSimagesensor,CIS)及电荷耦合组件(charge-coupleddevice,CCD)被应用于例如照相机、移动电话及膝上型计算机等各种应用中以捕获图像。CIS利用在衬底中像素阵列，所述像素阵列包括用于吸收在所述衬底处接收到的光子并将所述光子转换成电荷的晶体管及光电二极管。由电荷而造成的模拟信号被放大且模拟/数字转换器(analog-to-digitalconverter)将所述经放大的信号转换成数字信号。此后，执行例如颜色校正(colorcorrection)、伽马校正(gammacorrection)及白平衡(whitebalance)等多个颜色内插过程(processofcolorinterpolation)以实现图像精细化或图像压缩。与前侧照明式CIS(front-side

illuminationCIS,FSICIS)相比，背侧照明式CIS(back-sideilluminationCIS,BSICIS)使得入射光能够从衬底的背侧(即，与内连线结构相对的侧)穿透。如此一来，由于BSICIS的内连线结构对入射辐射的反射较少，BSICIS会捕获到比FSICIS多的图像信号的光子。因此，图像传感器操作得到改善。

发明内容

[0003]本发明一些实施例的制作图像传感器的方法包括：在衬底中植入第一掺杂剂；移除所述衬底的一部分以界定突出部，其中所述移除所述衬底的所述一部分界定环绕所述突出部的第一表面；在所述突出部之上形成导电特征；以及在所述突出部中植入第二掺杂剂，其中所述第二掺杂剂具有与所述第一掺杂剂相同的导电类型。

附图说明

[0004]结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明的各个方面。应注意，根据本行业中