CN1512581A 一种高晶格匹配性的光电集成电路元件及其制作方法 （威凯科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号02159711.1

[51]Int.Cl?

H01L27/00

H01L21/70

[43]公开日2004年7月14日[11]公开号CN1512581A

[22]申请日2002.12.30[21]申请1

[71]申请人威凯科技股份有限公司地址台湾省新竹科学工业园区

[72]发明人赖穆人刘家呈章炯煜

[74]专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司

代理人刘朝华

权利要求书3页说明书16页附图6页

[54]发明名称一种高晶格匹配性的光电集成电路

元件及其制作方法

[57]摘要

一种高晶格匹配性的光电集成电路元件及其制作方法。它是采用二氧化硅层选择性将二极管及电晶体设置于基底上；在硅基底上形成二氧化硅层，选择性蚀刻二氧化硅层，以定义出二极管预定区及场效电晶体预定区；接续在预定区依序成长二极管、保护层及电晶体，保护层用于将二极管及电晶体作一绝缘隔离。具有提供具有完美结晶度的光电集成电路元件、避免砷化镓基板所产生的晶格缺陷、大幅降低成本及防止其连接导线误触的功效。

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知识产权出版社出版1权利要求书第1/3页

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1、一种高晶格匹配性的光电集成电路元件，其特征是：它包括有作为该光电集成电路元件的光学电路部分的发光二极管部分及该光电集成电路元件的

5电子电路部分的场效电晶体部分，所述发光二极管部分至少包括有：

一基底具有第一晶格常数，所述场效电晶体部分形成于该基底；

一第一多层缓冲层设置于所述基底表面，所述第一多层缓冲层的晶格常数呈现梯度变化，由所述第一多层缓冲层底部所具有的第一晶格常数逐渐变化为第一多层缓冲层表面所具有的第二晶格常数；

10一第二多层缓冲层设置于所述第一多层缓冲层表面，所述第二多层缓冲层

的晶格常数呈现梯度变化，由所述第二多层缓冲层底部所具有的第二晶格常数逐渐变化为所述第二多层缓冲层表面所具有的第三晶格常数；

一第一型束缚层设置于所述第二多层缓冲层表面具有第三晶格常数；

一活性层设置于所述第一型束缚层表面；

15一第一型电极设置于所述活性层部分表面；一第二型束缚层设置于所述活

性层表面；

一第二型电极设置于所述第二型束缚层部分表面；一线路连接所述场效电晶体与第一型电极。

2、根据权利要求1所述的高晶格匹配性的光电集成电路元件，其特征是：

20所述光电集成电路元件更包括一保护层形成于所述发光二极管及场效电晶体之

间，所述线路是以该保护层与发光二极管隔开。

3、根据权利要求1所述的高晶格匹配性的光电集成电路元件，其特征是：所述基底包括硅；所述第一多层缓冲层包括BGa(1-x)P;所述第二多层缓冲层为InwGa1-z-N,以及所述第一型束缚层包括氮化镓系化合物。

254、根据权利要求1所述的高晶格匹配性的光电集成电路元件，其特征是：所述基底包括碳化硅；所述第一多层缓冲层包括B.Ga(1-x)P,所述第一多1权利要求书第2/3页

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层缓冲层包括InγGa1?yN;以及所述第一型束缚层包括氮化镓系化合物。

5、根据权利要求1所述的高晶格匹配性的光电集成电路元件，其特征是：所述基底包括磷化镓；所述第一多层缓冲层包括BGa(1-x)P;所述第一多层缓冲层包括InyGa1-N;以及所述第一型束缚层包括氮化镓系化合物。

56、根据权利要求1所述的高晶格匹配性的光电集成电路元件，其特征是：所述基底包括砷化镓；所述第一多层缓冲层包括GaAs?-YPy与BGa(1-x)P,所述第二多层缓冲层包括InyGa1-yN;以及所述第一型束缚层包括氮化镓系化合物。