CN1565035A 光学元件及其制作方法以及光刻设备和半导体器件的制造方法 （卡尔赛斯半导体制造技术股份公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号2

[51]Int.Cl?

G21K1/06

G02B1/10

[43]公开日2005年1月12日[11]公开号CN1565035A

[22]申请日2002.10.2[21]申请2

[30]优先权

[32]2001.10.4[33]DE[313

[86]国际申请PCT/EP2002/0110782002.10.2

[87]国际公布WO2003/032329英2003.4.17

[85]进入国家阶段日期2004.4.2

[71]申请人卡尔赛斯半导体制造技术股份公司地址德国上科亨

[72]发明人安德烈·E·雅克辛埃里克·路易斯

弗雷德里克·比约克

马可·维多斯克罗曼·克莱因弗兰克·斯戴特兹

[74]专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利

商标事务所

代理人王永刚

权利要求书3页说明书16页附图18页

[54]发明名称光学元件及其制作方法以及光刻设备和半导体器件的制造方法

[57]摘要

电场强度(任意单位)为了减少在衬底上包含多层系统的光学元件的沾污，提出了将多层系统的至少一个层的层材料和/或层厚度选择成使在辐照的工作波长的反射过程中形成的驻波在多层系统的自由界面区域中形成电场强度的节点(节点条件)。而且，描述了用来确定

电场强度(任意单位)

d(nm)

知识产权出版社出版2权利要求书第1/3页

2

1.一种光学元件，特别是一种平面镜或掩模，它包含衬底(1)

和光学多层系统(3),对于规定的工作波长，确切地说是对于EUV波长范围内的规定工作波长，此光学多层系统的反射率被最大化，其特征在于

多层系统(3)的至少一个层(11)的层材料和/或层厚度被选择成使辐照工作波长的反射过程中形成的驻波(4)在多层系统(3)的自由界面(100)区域中形成电场强度的节点(5)(节点条件)。

2.根据权利要求1的光学元件，其特征在于，多层系统(3)包含对高反射率优化了的叠层(谐振区(10)),其中，谐振区(10)的至少一个层(11a,…,11n)的层材料和/或层厚度满足“节点条件”。

3.根据权利要求2的光学元件，其特征在于，谐振区(10)的至少部分层(11a,…,11n)的层厚度随层数目增加而减小或增大。

4.根据权利要求3的光学元件，其特征在于，谐振区(10)的至少部分层(11a,…,11n)的层厚度随层数目增加而变化。

5.根据权利要求1-4之一的光学元件，其特征在于，在谐振区

(10)内已经提供了叠层(相位转换区(12)),其中，相位转换区 (12)的至少一个层(13a,.…,13n)的层材料和/或层厚度被设定成满足“节点条件”。

6.根据权利要求1-5之一的光学元件，其特征在于，在谐振区 (10)上，多层系统(3)包含至少另一个层系统(20,30),其中，另一个层系统(20,30)的至少一个层(21,31)的层材料和/或层厚度被设定成满足节点条件。

7.根据权利要求6的光学元件，其特征在于，另一个层系统包含至少一个保护层(32)(帽区(30))。

8.根据权利要求7的光学元件，其特征在于，保护层(32)包含在工作波长下具有弱的吸收的材料，所述材料的半值厚度超过50nm。2权利要求书第2/3页

3

9.根据权利要求7或8之一的光学元件，其特征在于，保护层 (32)包含Ru、Rh、Si、Mo、Zr、Nb、B、C、N、和/或O、或它们的合金或化合物。

10.根据权利要求6-9之一的光学元件，其特征在于，另一个层系统被排列在谐振区(10)与帽区(30)之间(相位匹配区)。

11.一种确定光学元件的多层系统的设计的方法，其中在迭代过程中，至少一次或几次执行通过下列步骤的循环：

A-模型化步骤，其中，考虑到各层的材料和多层系统的规定特