CN1694276A 基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件的制作方法 （上海交通大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510026607.8

[51]Int.Cl?

H01L43/12

H01L43/08G01R33/09

G11B5/39B81C1/00

[43]公开日2005年11月9日[11]公开号CN1694276A

[22]申请日2005.6.9

[21]申请号200510026607.8

[71]申请人上海交通大学

地址200240上海市闵行区东川路800号[72]发明人周勇丁文曹莹陈吉安

周志敏

[74]专利代理机构上海交达专利事务所代理人王锡麟王桂忠

权利要求书2页说明书5页

[54]发明名称基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件的制作方法

[57]摘要

一种基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件的制作方法。属于传感器技术领域。本发明采用微机电系统(MEMS)技术，对双面氧化的硅片进行处理，得到双面套刻对准符号，以便曝光时提高对准精度；采用准-LIGA光刻技术和微电镀技术制备曲折状三明治结构FeNi/Cu/FeNi软磁多层膜材料；采用物理刻蚀技术去除底层，避免湿法刻蚀工艺带来的钻蚀现象；通过选择合适的永磁体对多层膜的巨磁阻抗效应曲线进行偏置，使磁敏器件工作在线性区域。本发明采用MEMS技术可以实现其制备工艺与IC工艺兼容，可与配套的检测电路制作在一起，实现整个传感器的薄膜化、小型化，并具有高灵敏度、响应速度快，性能重复性好、温度稳定性好及易于大批量生产。

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知识产权出版社出版

200510026607.8权利要求书第1/2页

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1、一种基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件的制作方法，其特征在于，具体步骤如下：

(1)在双面氧化的硅片上甩正胶，光刻胶厚度为5～6μm,将衬底基片烘干，

光刻胶烘干温度为95℃,时间为30分钟；曝光、显影后，湿法刻蚀SiO?;

(2)溅射FeNi底层，厚度为80～100nm;

(3)甩正胶，光刻胶厚度为15μm,将衬底基片烘干，光刻胶烘干温度为95℃,烘干时间为60分钟，曝光、显影；

(4)电镀FeNi软磁薄膜，厚度为2～15μm,电镀时沿薄膜的横向施加1kOe的磁场；

(5)去正胶；甩正胶，光刻胶厚度为15μm,将衬底基片烘干，光刻胶烘干温度为95℃,烘干时间为60分钟，曝光、显影；

(6)电镀Cu层，厚度为2～15μm;

(7)甩正胶，光刻胶厚度为15μm,将衬底基片烘干，光刻胶烘干温度为95℃,烘干时间为60分钟，曝光、显影；

(8)电镀FeNi软磁薄膜，厚度为2～15μm,电镀时沿薄膜的横向施加1kOe的磁场；

(9)去正胶，物理方法去除FeNi底层；

(10)在真空炉中250℃下磁场退火半小时；

(11)采用微细加工技术制备偏置永磁体，用环氧胶将永磁体粘贴于磁敏器件的背面，最终形成了FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应磁敏器件。

2、如权利要求1所述的基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件的制作方法，其特征是，套刻符号为曝光提供准确的对准。

3、如权利要求1所述的基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件的制作方法，其特征是，软磁多层膜为电镀的FeNi/Cu/FeNi多层膜，是曲折状三明治结构。

4、根据权利要求1所述的基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件的制作方法，其特征是，所述的溅射FeNi底层的制备工艺为：基底的真空为8×10-5Pa,

3

200510026607.8权利要求书第2/2页

溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为0.67Pa和600W,氩气流量为

20SCCM。

200510026607.8说明书第1/5页

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基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件的制作方法

技术领域

本发明涉及的是一种磁敏器件的制作方法，具体是一种基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件的制作方法。属于传感器技术领域。