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[19]中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公开说明书
[21]申请号200510078591.5
[51]Int.Cl.
G02B6/26(2006.01)
GO2B6/34(2006.01)
G02B6/24(2006.01)
[43]公开日2006年12月20日[11]公开号CN1880986A
[22]申请日2005.6.17
[21]申请号200510078591.5
[71]申请人陈南光
地址中国台湾台北县
[72]发明人祁牲陈南光
[74]专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人王玉双潘培坤
权利要求书3页说明书11页附图18页
[54]发明名称
激光微加工处理全光纤型元件的制作方法
[57]摘要
本发明指一种激光微加工处理全光纤型元件的制作方法,直接对光纤的部分光壳施以激光切削去除,使得光纤内的消逝场(evanescentfield)能够裸露出来,切削的深度可通过测量激光干涉条纹间距的方法得知;激光切削形成的消逝场的作用长度则可透过改变光纤曲率半径控制。将侧削后的光纤彼此靠合,使其光消逝场能够发生耦合后予以加热熔合或施以熔烧拉锥(fuse-tapering),即可用来制作光纤耦合器、光塞取多任务器(add/dropmultiplexer)、光纤窄波道多任务/解多任务器及光纤光栅等光纤元件。
200510078591.5权利要求书第1/3页
2
1.一种功率激光微加工处理全光纤型元件的制作方法,其中包括下列步骤:
(a)提供至少一光纤,该光纤包括一光芯及一光壳;
(b)以一第一激光束切削该光壳以形成一消逝场裸露面,并以一第二激光束射入该消逝场裸露面;以及
(c)通过该第二激光束经反射所得的干涉条纹间距决定该第一激光束切削该光壳的深度。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征是步骤(b)还包括步骤如下:
以该第一激光束切削该光壳的同时旋转该光纤,使得该光纤消逝场裸露面围绕该光纤;及/或
以该第一激光束切削该光壳的同时弯曲该光纤,并通过该光纤弯曲时的曲率半径决定该第一激光束切削该光壳的长度。
3.如权利要求1所述的制作方法,其特征是步骤(b)还包括步骤如下:
于该第一激光束切削该光壳前,通过至少一反射镜反射该第一激光束;及/或
移动或转动所述反射镜,使得该第一激光束的切削范围包含该消逝场裸
露面。
4.如权利要求1所述的制作方法,其特征是步骤(b)还包括步骤如下:
于该第一激光束切削该光壳前,通过至少一透镜聚焦该第一激光束以切
削该光壳。
5.一种光纤耦合器的制作方法,其中包括下列步骤:
(a)提供两光纤,所述光纤分别包括一光芯及一光壳;
(b)以一第一激光束切削该一光纤的该光壳以形成一消逝场裸露面,并以
一第二激光束射入该消逝场裸露面;
(c)通过该第二激光束经反射所得的干涉条纹间距决定该第一激光束切削该光壳的深度;
(d)针对另一光纤重复步骤(b)~(c);以及
(e)贴合两光纤的消逝场裸露面,加以熔烧及拉伸以形成该光纤耦合器。
6.一种光纤耦合器的制作方法,其中包括下列步骤:
200510078591.5权利要求书第2/3页
3
(a)提供至少一光纤,该光纤包括一光芯及一光壳;
(b)以该第一激光束切削该光壳的同时旋转该光纤,以形成围绕该光纤的一消逝场裸露面;
(c)通过该第二激光束经反射所得的干涉条纹间距决定该第一激光束切削该光壳的深度;
(d)针对每一光纤重复步骤(b)~(c);以及
(e)贴合所有光纤的消逝场裸露面,加以熔烧及拉伸以形成该光纤耦合器。
7.一种光纤塞取多任务器的制作方法,其中包括下列步骤:
(a)提供两光纤,所述光纤分别包括一光芯及一光壳;
(b)以一第一激光束切削该一光纤的该光壳以形成一消逝场裸露面,并以一第二激光束射入该消逝场裸露面;
(c)通过该第二激光束经反射所得的干涉条纹间距决定该第一激光束切削该光壳的深度;
(d)针对另一光纤重复步骤(b)~(c);
(e)贴合两光纤的消逝场裸露面并加以熔烧;
(f)写入光纤光栅至所述光芯;
(g)拉伸所述光纤以调整光学性质,构成该光纤塞取多任务器。
8.一种多波道
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