CN1901161B 连续电镀制作线路组件的方法及线路组件结构 （米辑电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN1901161B

(45)授权公告日2010.10.27

(21)申请号200610099490.0

(22)申请日2006.07.24

(30)优先权数据

60/701,8492005.07.22US

(73)专利权人米辑电子股份有限公司地址中国台湾

(72)发明人林茂雄罗心荣周秋明周健康

(74)专利代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139

代理人孙皓晨

(56)对比文件

US2003/0222295A1,2003.12.04,说明书第58-89段、附图2,4,12-16,24a-24c.

US6707159B1,2004.03.16,说明书第4栏第53行到第7栏第31行、附图1,3A-3D.

US6303423B1,2001.10.16,全文.

US2004/0009629A1,2004.01.15,全文.审查员李静

权利要求书3页说明书15页附图44页

(51)Int.CI.

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21/822(2006.01)

21/768(2006.01)

21/60(2006.01)

27/04(2006.01)23/522(2006.01)

23/485(2006.01)

(54)发明名称

连续电镀制作线路组件的方法及线路组件结构

(57)摘要

CN1901161B本发明提供一种形成覆盖有聚醯亚胺(polyimide,PI)的连续电镀结构的方法，其包括(a)提供一半导体基底；(b)在该半导体基底上形成一黏着/阻障层；(c)在该黏着/阻障层上形成复数金属线路层(metaltrace);(d)在该些金属线路层中选择一目标区域做为接垫，并在该接垫上形成一金属层；(e)去除未被覆盖的该黏着/阻障层；以及(f)

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CN1901161B权利要求书1/3页

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1.一种连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，其步骤包括：

提供一半导体基底、数个厚度小于3微米的介电层与厚度小于3微米的细线路层、一第一线圈及一保护层，其中所述的介电层与细线路层位于所述的半导体基底上，所述的保护层位于所述的介电层与细线路层上，所述的第一线圈位于所述的保护层上，所述的第一线圈具有一接垫，所述的接垫位于所述的保护层上，而提供所述的第一线圈的步骤包括形成一第二金属层在所述的保护层上、形成一第二图案化光阻层在所述的第二金属层上，且所述的第二图案化光阻层的多个开口暴露出所述的第二金属层、以电镀方式形成厚度介于2微米至30微米之间的一第三金属层在所述的第二图案化光阻层的所述的开口内，且所述的第二图案化光阻层的所述的开口包括一线圈形状、以及在形成所述的第三金属层后，去除所述的第二图案化光阻层；

形成一第一图案化光阻层在所述的第一线圈及所述的保护层上，所述的第一图案化光阻层具有至少一开口暴露出所述的接垫；

以电镀方式形成厚度介于1微米至150微米之间的一第一金属层在所述的第一图案化光阻层的所述的开口内；

去除所述的第一图案化光阻层；

去除未在所述的第三金属层下的所述的第二金属层；以及

在去除未在所述的第三金属层下的所述的第二金属层后，形成一聚合物层在所述的第一金属层和第三金属层上，并曝露出第一金属层。

2.如权利要求1所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，形成所述的保护层的步骤包括沉积厚度介于1000埃至15000埃之间的氮硅化合物层、磷硅玻璃层、氧硅化合物层及氮氧硅化合物层其中之一或其组合。

3.如权利要求1所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，在提供所述的第一线圈步骤前，更包括形成厚度介于2微米至50微米之间的聚醯亚胺化合物层、苯基环丁烯化合物层及环氧树脂层其中之一在所述的保护层上。

4.如权利要求1所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，形成所述的第二金属层的步骤包括在所述的保护层上形成一黏着/阻障层以及在所述的黏着/阻障层上形成一种子层。

5.如权利要求4所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，形成所述的黏着/阻障层的步骤包括溅镀厚度介于400埃至7000埃之间的钛钨合金层、钛金属层、氮化钛层、钽