CN1901163B 连续电镀制作线路组件的方法及线路组件结构 （米辑电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN1901163B

(45)授权公告日2011.04.13

(21)申请号200610099492.X

(22)申请日2006.07.24

(30)优先权数据

(56)对比文件

US6707159B1,2004.03.16,全文.审查员柴春英

60/701,8492005.07.22US

(73)专利权人米辑电子股份有限公司地址中国台湾

(72)发明人林茂雄罗心荣周秋明周健康

(74)专利代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139

代理人孙皓晨

(51)Int.CI.

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21/822(2006.01)

21/768(2006.01)

21/60(2006.01)

27/04(2006.01)

23/522(2006.01)

23/485(2006.01)

权利要求书3页说明书15页附图44页

(54)发明名称

连续电镀制作线路组件的方法及线路组件结构

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202

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CN1901163B本发明提供一种形成覆盖有聚酰亚胺(polyimide,PI)的连续电镀结构的方法，其包括(a)提供一半导体基底；(b)在该半导体基底上形成一黏着/阻障层；(c)在该黏着/阻障层上形成复数金属线路层(metaltrace);(d)在该些金属线路层中选择一目标区域做为接垫，并在该接垫上形成一金属层；(e)去除未被覆盖的该黏着/阻障层；以及(f)

CN1901163B

CN1901163B权利要求书1/3页

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1.一种连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一半导体基底、一细联机结构，该细联机结构是由多个厚度小于3微米的薄膜绝缘层及厚度小于3微米的细线路层所构成，一保护层位于该半导体基底上方以及该细联机结构上方，该保护层包括一氮化硅层；

形成一第一金属层在该保护层之上；

在形成该第一金属层的步骤之后，形成一第一光刻胶层在该第一金属层上，且位于该第一光刻胶层内的一第一开口暴露出该第一金属层；

在形成该第一光刻胶层的步骤之后，形成一第二金属层在该第一开口内；

在形成该第二金属层的步骤之后，去除该第一光刻胶层；

在形成该第二金属层的步骤之后，形成一第二光刻胶层在该第二金属层上以及在该第一金属层之上，且位于该第二光刻胶层内的一第二开口暴露出该第二金属层；

在形成该第二光刻胶层的步骤之后，形成一第三金属层在该第二开口内；

在形成该第三金属层的步骤之后，去除该第二光刻胶层；

在去除该第一光刻胶层的步骤以及去除该第二光刻胶层的步骤之后，去除未在该第二金属层下的该第一金属层；

在去除未在该第二金属层下的该第一金属层的步骤之后，形成一第一聚合物层在该保护层之上、在该第三金属层的顶端上以及在该第二金属层上，且该第一聚合物层接触该第三金属层的顶端以及接触该第二金属层；

在形成该第一聚合物层的步骤之后，去除位于该第三金属层顶端上的该第一聚合物层，并暴露出该第三金属层的顶端；

在去除位于该第三金属层顶端上的该第一聚合物层的步骤之后，形成一第四金属层在该第一聚合物层之上以及在该第三金属层的顶端上，且该第四金属层接触该第三金属层的顶端；

在形成该第四金属层的步骤之后，形成一第三光刻胶层在该第四金属层上，且位于该第三光刻胶层内的一第三开口暴露出该第四金属层；

在形成该第三光刻胶层的步骤之后，形成一第五金属层在该第三开口内；

在形成该第五金属层的步骤之后，去除该第三光刻胶层；

在形成该第五金属层的步骤之后，形成一第四光刻胶层在该第五金属层上以及在该第四金属层之上，且位于该第四光刻胶层内的一第四开口暴露出该第五金属层；

在形成该第四光刻胶层的步骤之后，形成一第六金属层在该第四开口内；

在形成该第六金属层的步骤之后，去除该第四光刻胶层；以及

在去除该第三光刻胶层的步骤以及去除该第四光刻胶层的步骤之后，去除未在该第五金属层下的该第四金属层。

2.如权利要求1所述的制作线路组件的方法，其特征在于，该氮化硅层为厚度介于0.2微米至1.2微米之间的氮化硅层。

3.如权利要求1所述的制作线路组件的方法，其特征在于，还包括形成厚度介于3微米至50微米之间的一第