CN101689581B 纳米线光电二极管和制作纳米线光电二极管的方法 (惠普开发有限公司).docxVIP

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CN101689581B 纳米线光电二极管和制作纳米线光电二极管的方法 (惠普开发有限公司).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101689581B

(45)授权公告日2011.04.06

(21)申请号200880022465.X

(22)申请日2008.06.25

(30)优先权数据

11/819,2262007.06.26US

(85)PCT申请进入国家阶段日

2009.12.28

(86)PCT申请的申请数据

PCT/US2008/0079312008.06.25

(87)PCT申请的公布数据

WO2009/023065EN2009.02.19

(73)专利权人惠普开发有限公司地址美国德克萨斯州

(72)发明人S·-Y·王M·谭

A·布拉特科夫斯基

R·S·威廉斯N·科巴亚施

(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公

司72001代理人李娜王洪斌

(51)Int.CI.

HO1L31/10(2006.01)

HO1L31/101(2006.01)

(56)对比文件

CN1334234A,2002.02.06,全文.

JP特开2004-325428A,2004.11.18,全文.US7211464B2,2007.05.01,全文.

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