CN108321193B 一种沟槽栅电荷存储型igbt及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN108321193B公告日2019.12.10

(21)申请号201810111442.1

(22)申请日2018.02.05

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108321193A

(43)申请公布日2018.07.24

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张金平赵倩罗君轶刘竞秀李泽宏张波

HO1L29/40(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)HO1L21/331(2006.01)

(56)对比文件

CN105932055A,2016.09.07,

CN101980356A,2011.02.23,

CN103094321A,2013.05.08,

US8178922B2,2012.05.15,CN107452789A,2017.12.08,审查员杨燕

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所

(普通合伙)51232代理人葛启函

(51)Int.CI