CN101798059B 一种硅基纳米孔的制作方法 （清华大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101798059B

(45)授权公告日2013.10.16

(21)申请号201010140180.5

(22)申请日2010.04.06

(73)专利权人清华大学

地址100084北京市100084信箱82分箱清

华大学专利办公室

(72)发明人司卫华刘泽文

(74)专利代理机构西安智大知识产权代理事务

所61215代理人贾玉健

(51)Int.CI.

B82B3/00(2006.01)

(56)对比文件

JPA,1980.04.09,全文.

US6706203B2,2004.03.16,全文.

US2009061578A1,2009.03.05,全文.

KR20090121544A,2009.11.26,全文.审查员杨艳

权利要求书1页说明书2页附图2页

(54)发明名称

一种硅基纳米孔的制作方法

(57)摘要

一种硅基纳米孔的制作方法，包括以下步骤：

CN101798059B一、在硅衬底上覆盖有保护材料和顶层保护材料，用微细加工技术将需要在硅衬底上刻蚀出的图形加工到两层保护材料上，图形的深度到达硅衬底的表面；二、在硅衬