CN101771119B 一种氧化锌基透明电极发光二极管及其制作方法 （上海大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101771119B

(45)授权公告日2013.08.28

(21)申请号201010102817.1

(22)申请日2010.01.29

(73)专利权人上海大学

地址200444上海市宝山区上大路99号

(72)发明人王书方张建华

JP特开2005-197506A,2005.07.21,US2008/0230791A1,2008.09.25,

CN101476111A,2009.07.08,

CN1630110A,2005.06.22,审查员刘婧

(74)专利代理机构上海上大专利事务所(普通

合伙)31205代理人何文欣

(51)Int.CI.

HO1L33/02(2010.01)

HO1L33/42(2010.01)

HO1L33/38(2010.01)

(56)对比文件

US2008/0116478A1,2008.05.22,权利要求书1页说明书3页附图4页

US2008/0116478A1,2008.05.22,

(54)发明名称

一种氧化锌基透明电极发光二极管及其制作方法

(57)摘要

CN101771119B本发明涉及一种氧化锌基透明电发光二极管及其制作方法。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、氧化锌基透明电流扩展层、n型金属电极(PAD)、p型金属电极(PAD),其中缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕；利用干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来，利用光刻胶掩膜的方法是利用磁控溅射方法沉积氧化锌基透明电流扩展层，然后再利用热蒸发或电子束蒸发等薄膜沉积方法生长金属电极。该芯片制备工艺先进行p型氮化镓的刻蚀，再进行氧化锌透明电极的沉积，克服了氧化锌与氮化镓不同材料需分别刻蚀的问题。而且由于无须刻蚀氧化锌电

CN101771119B

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CN101771119B权利要求书1/1页

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1.一种氧化锌基透明电极发光二极管，包括：蓝宝石衬底(1)、缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6)、透明电极(7)、n型金属电极(8)、p型金属电极(9),其特征在于所述缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6)是在MOCVD中依次生长完毕；所述透明电极(7)是氧化锌基透明导电薄膜，材质是Zn0:Ga或Zn0:A1或ZnO:In;所述n型金属电极(8)是金属复合电极，该金属复合电极是Ti/A1或Cr/Pt/Au复合电极；所述n型金属电极(8)是具有如下特定形状：处于芯片对角上的圆台柱形；所述p型金属电极(9)是金属复合电极，该金属复合电极是Ni/Au或Cr/Pt/Au复合电极；所述p型金属电极(9)是具有如下特定形状的：呈对角线分布的多交叉枝型，或呈对角线分布的工字型；所述的透明电极(7)为电流扩展层。

2.一种用于根据权利要求1所述的氧化锌基透明电极发光二极管的制作方法，其特征在于工艺步骤如下：

a.用MOCVD的方法在衬底上依次生长缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱

(5)、p型氮化镓(6);

b.对外延片进行镁激活退火处理；

c.通过利用ICP干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来，制备出所需芯片结构；

d.浮去光刻胶，并使用NaOH或者HF或者王水对外延片进行表面处理；

e.通过磁控溅射方法，沉积氧化锌透明导电薄膜(7);

f.先浮去光刻胶，再对外延片进行退火处理，一方面降低氧化锌与氮化镓之间的接触电阻，一方面修复刻蚀损伤；

g.通过光刻胶或者金属板掩膜，利用热蒸发或电子束蒸发的方法沉积n型金属电极(8)

h.通过光刻胶或者金属板掩膜，利用热蒸发或电子束蒸发的方法沉积p型金属电极(9);

i.再次退火处理，进行金属电极的合金化；

j.分割外延片。

3.根据权利要求2所述的氧化锌基透明电极发光二极管的制作方法，其特征在于先利用ICP干法刻蚀将n型氮化镓暴露出