CN106660782B 集积式cmos及mems传感器制作方法与结构 （因文森斯公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106660782B公告日2019.07.23

(21)申请号201580047745.6

(22)申请日2015.07.06

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106660782A

(43)申请公布日2017.05.10

(30)优先权数据

62/021,6262014.07.07US14/752,7182015.06.26US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2017.03.06

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2015/0392552015.07.06

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2016/007435EN2016.01.14(73)专利权人因文森斯公司

地址美国加利福尼亚州

(72)发明人P·斯迈斯

(74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限公司11314

代理人程伟王锦阳

(51)Int.CI.

B81B7/00(2006.01)

(56)对比文件

US8587077B2,2013.11.19,

CN103539062A,2014.01.29,

US2010/0096713A1,2010.04