CN105161533A 一种碳化硅vdmos器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN105161533A布日2015.12.16

(21)申请号201510388838.7

(22)申请日2015.07.02

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)西

源大道2006号

(72)发明人邓小川萧寒唐亚超李妍月梁坤元甘志张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人葛启函

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L29/66(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图5页

(54)发明名称

一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法

(57)摘要

CN105161533A本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括：碳化硅N型重掺杂衬底，碳化硅N型重掺杂衬底上方的碳化硅N外延层，位于碳化硅N外延层上部的Pbase区，Pbase区中碳化硅P接触区和N源区形成的源极，凹进Pbase区之间形成的JFET区中的凹槽多晶硅，凹进JFET区的多晶硅与半导体之间的二氧化硅介质，围绕在凹进JFET区二氧化硅介质周围的P区。本发明通过在碳化硅VDMOS器件中引入凹槽栅，优化了碳化硅VDMOS

CN105161533A

CN105161533A权利要求书1/1页

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1.一种碳化硅VDMOS器件，包括自下而上依次设置的金属漏电极(11)、N*衬底(10)和N外延层(9);所述N外延层(9)上层一端具有第一Pbase区(7),其上层另一端具有第二Pbase区(71);所述第一Pbase区(7)中具有相互独立的第一N源区(6)和第一P接触区(5);所述第二Pbase区(71)中具有相互独立的第二N源区(61)和第二P接触区(51);所述第一N源区(6)和第一P+接触区(5)上表面具有第一金属源电极(3);所述第二N源区(61)和第二P+接触区(51)上表面具有第二金属源电极(31);所述第一金属源电极(3)和第二金属源电极(31)之间具有栅极结构；所述栅极结构由栅氧化层(4)、位于栅氧化层(4)上表面的多晶硅栅(2)和位于多晶硅栅(2)上表面的栅电极(1)构成；所述第一Pbase区(7)与第二Pbase区(71)之间的N外延层(9)上层具有凹槽，所述凹槽与N外延层(9)之间具有P区(8),所述栅氧化层(4)位于凹槽中的部分与P区(8)连接，所述多晶硅栅(2)填充在凹槽中。

2.一种碳化硅VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：采用外延工艺，在碳化硅N衬底(10)上表面生成N外延层(9);

第二步：采用离子注入工艺，在N外延层(9)上层一端注入P型半导体杂质形成第一Pbase区(7),在其上层另一端注入P型半导体杂质形成第二Pbase区(71);

第三步；采用离子注入工艺，在第一Pbase区(7)上层注入P型半导体杂质形成第一P接触区(5),在第二Pbase区(71)上层注入P型半导体杂质形成第二P*接触区(51);

第四步：采用离子注入工艺，在第一Pbase区(7)上层注入N型半导体杂质形成第一N源区(6),在第二Pbase区(71)上层注入N型半导体杂质形成第二N源区(61);所述第一P接触区(5)和第一N源区(6)相互独立，所述第二P+接触区(51)和第二N源区(61)相互独立；

第五步：采用离子注入工艺，在第一Pbase区(7)和第二Pbase区(71)之间的N外延层(9)上层注入P型半导体杂质生成P?区(8),然后在P+区(8)中刻蚀出凹槽；

第六步：在凹槽中的P区(8)表面以及凹槽两侧的器件表面生长栅氧化层(4),在栅氧化层(4)上表面淀积多晶硅，经刻蚀形成多晶硅栅(2);

第七步：在第一N源区(6)和第一P接触区(5)上表面生成第一金属源电极(3);在第二N源区(61)和第二P接触区(51)上