CN119486109A 半导体结构及其制造方法、存储系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486109A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202311002908.1

(22)申请日2023.08.09

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人刘子琛刘威

(74)专利代理机构北京英思普睿知识产权代理

有限公司16018

专利代理师刘莹聂国斌

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书3页说明书15页附图26页

(54)发明名称

半导体结构及其制造方法、存储系统

(57)摘要

CN119486109A本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。制造半导体结构的方法包括：形成在存储区内且沿第二方向延伸的导电结构，并形成沿第二方向延伸穿过存储区和非存储区的隔离结构，其中，导电结构位于半导体柱的第一侧壁处，隔离结构的一部分位于半导体柱的、与第

CN119486109A

CN119486109A权利要求书1/3页

2

1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，半导体层包括多个存储区和至少一个非

存储区，所述存储区和所述非