CN119486106A 一种半导体结构的制作方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486106A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202310989886.6

(22)申请日2023.08.04

(71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

地址230601安徽省合肥市经济技术开发

区空港工业园兴业大道388号

(72)发明人常庆环游加加

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书2页说明书9页附图4页

(54)发明名称

一种半导体结构的制作方法

(57)摘要

CN119486106A本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底，基底上形成有含碳掩膜层；在含碳掩膜层上形成初始掩膜层，初始掩膜层内有多个第一开口；在初始掩膜层顶面上形成含碳牺牲层，含碳牺牲层有多个第二开口，第二开口暴露初始掩膜层的部分顶面；以含碳牺牲层为掩膜，沿第二开口刻蚀初始掩膜层，以在初始掩膜层内形成贯穿初始掩膜层后的第三开口，剩余初始掩膜层作为掩膜层；在同一刻蚀工艺中，沿第三开口刻蚀含碳掩膜层，且在刻蚀工艺期间含碳牺牲层被去除，以露出第一开口，并沿第一开口刻蚀含碳掩膜层，直至在含碳掩膜层内形成贯穿含碳掩膜层的目标开口，可以

CN119486106A

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