CN119486117A 半导体结构的制造方法及半导体结构 （深圳市昇维旭技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486117A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202311084838.9

(22)申请日2023.08.25

(71)申请人深圳市昇维旭技术有限公司

地址518000广东省深圳市龙岗区平湖街

道辅城坳社区新源三巷1号B栋104

(72)发明人谢明宏

(74)专利代理机构深圳市联鼎知识产权代理有限公司44232

专利代理师刘抗美

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书3页说明书12页附图13页

(54)发明名称

半导体结构的制造方法及半导体结构

(57)摘要

CN119486117A本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。该半导体结构的制造方法可包括：提供一半导体基底，所述半导体基底具有相对设置的正面和背面；在所述半导体基底的正面形成具有第一应力的待图案化功能层；在所述半导体基底的背面形成具有第二应力的应力调节层，所述第一应力与所述第二应力为同类型应力，以使所述半导体基底在所述待图案化功能层和所述应力调节层的作用下处于平板状或边缘向背离所述待图案化功能层的一侧弯曲的拱形状，所述拱形状的弯曲程度满足设定参数；在形成所述应力调节层之后，对所述待图案化功能层进行图案化处理。本方案可改善半