CN119486182A 一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486182A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202510067803.7

(22)申请日2025.01.16

(71)申请人泰科天润半导体科技（北京）有限公司

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义园临空二路1号

(72)发明人李昀佶张长沙施广彦何佳

(74)专利代理机构福州市京华专利代理事务所(普通合伙)35212

专利代理师刘晓明

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D62/13(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

权利要求书1页说明书4页附图11页

(54)发明名称

一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS及其制

备方法

(57)摘要

CN119486182A本发明提供了一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长形成漂移层；通过对漂移层进行离子注入，形成低阻区、P型源区、P型阱区以及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层以及P型阱区