CN119486158A 一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法 （深圳市亚尔讯科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486158A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202510065479.5

(22)申请日2025.01.16

(71)申请人深圳市亚尔讯科技有限公司

地址518000广东省深圳市宝安区石岩街

道水田社区水田居委祝龙田路17号五

楼

(72)发明人罗正军

(74)专利代理机构深圳市金信启明知识产权代理有限公司44484

专利代理师陈棠

(51)Int.Cl.

H10D8/60(2025.01)

H10D8/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D64/64(2025.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

一种低正向压降的肖特基二极管及其制造

方法

(57)摘要

CN119486158A本申请提供一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法，该方法包括获取待设计肖特基二极管的功率参数和结构面积，根据功率参数确定待设计肖特基二极管的势垒金属；根据结构面积采用增加势垒面积规则对待设计肖特基二极管的结构进行设计，得到结构图；根据结构图和势垒金属采用肖特基二极管产品芯片生产工艺进行制造，得到低正向压降的肖特基二极管。该方法通过势垒金属选择设计保证了肖特基二极管这个产品最优的正向压降VF特性和反