CN119486267A 双向静电防护半导体器件及其制造方法 （杰华特微电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486267A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202410782413.3

(22)申请日2024.06.17

(71)申请人杰华特微电子股份有限公司

地址310030浙江省杭州市西湖区三墩镇

振华路298号西港发展中心西4幢9楼

901-23室

(72)发明人邓志勤

(74)专利代理机构北京成创同维知识产权代理

有限公司11449

专利代理师刘静

(51)Int.Cl.

H10D89/60(2025.01)

H10D84/03(2025.01)

权利要求书3页说明书12页附图5页

(54)发明名称

双向静电防护半导体器件及其制造方法

(57)摘要

CN119486267A本申请公开了一种双向静电防护半导体器件及其制造方法，该双向静电防护半导体器件包括：外延层；依次分布在外延层上部的第一P型阱区、第一N型阱区、第二P型阱区、第二N型阱区和第三P型阱区；位于第一P型阱区和第一N型阱区之间的第一MOS结构，包括第一源极区、第一漏极区和第一栅极区；位于第二P型阱区和第二N型阱区之间的第二MOS结构，包括第二源极区、第二漏极区和第二栅极区；第二P型阱区内的第一P+注入区和第三P型阱区内的第二P+注入区，第一P+注入区、第二源极区和第二栅极区均连