CN119486181A 一种半导体器件及其制作方法 （合肥晶合集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486181A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202510059118.X

(22)申请日2025.01.15

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

地址230000安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内西淝河路88号

(72)发明人周成

(74)专利代理机构上海汉之律师事务所31378

专利代理师胡雨

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/67(2025.01)

权利要求书2页说明书8页附图9页

(54)发明名称

一种半导体器件及其制作方法

(57)摘要

CN119486181A本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法包括：提供衬底，在衬底内形成屏蔽栅引线沟槽和屏蔽栅沟槽，屏蔽栅引线沟槽的开口宽度小于屏蔽栅沟槽的开口宽度的二分之一；在衬底和沟槽内沉积屏蔽栅介质层；在屏蔽栅介质层上沉积第一栅极材料层，表面与衬底的表面齐平；在第一栅极材料层上形成保护层，保护层的表面与屏蔽栅介质层的表面齐平；两侧倾斜刻蚀去除屏蔽栅沟槽内的所述保护层；去除屏蔽栅沟槽内的部分第一栅极材料层，形成屏蔽栅极和引线栅极；在屏蔽栅极上形成表面平整的栅间介质层；在栅间介质层上形成控制栅极。通过本发明