CN119486126A 存储装置、存储装置的制造方法及半导体装置 （深圳市昇维旭技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486126A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202410948337.9

(22)申请日2024.07.15

(71)申请人深圳市昇维旭技术有限公司

地址518000广东省深圳市龙岗区平湖街

道辅城坳社区新源三巷1号B栋104

(72)发明人李军辉

(74)专利代理机构深圳市联鼎知识产权代理有限公司44232

专利代理师刘抗美

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书5页说明书21页附图18页

(54)发明名称

存储装置、存储装置的制造方法及半导体装

置

(57)摘要

CN119486126A本申请提供了一种存储装置及其制造方法、半导体装置，存储装置包括：衬底，包括绝缘表面；存储单元阵列，包括设于绝缘表面上的多个存储单元，多个存储单元沿第一水平方向、第二水平方向和垂直方向重复地布置，第一水平方向与第二水平方向相交；每个存储单元包括一个晶体管，晶体管包括栅极绝缘层、栅极结构和与绝缘表面平行的有源层，栅极结构包括栅极主体部，栅极主体部包括第一栅极，第一栅极沿有源层的侧壁延伸，栅极绝缘层位于第一栅极与有源层之间；公共源极结构和位线结构，位线结构包括多条沿第一水平方向延伸的位线，有源层包括连接于公共源极结构的源极端和