CN119486123A 存储装置及其制备方法 （深圳市昇维旭技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486123A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202410687657.3

(22)申请日2024.05.29

(71)申请人深圳市昇维旭技术有限公司

地址518000广东省深圳市龙岗区平湖街

道辅城坳社区新源三巷1号B栋104

(72)发明人李军辉

(74)专利代理机构深圳市联鼎知识产权代理有限公司44232

专利代理师刘抗美

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

G11C11/402(2006.01)

G11C11/4093(2006.01)

G11C11/4094(2006.01)

G11C11/4096(2006.01)

权利要求书4页说明书27页附图32页

(54)发明名称

存储装置及其制备方法

(57)摘要

CN119486123A本发明属于半导体技术领域，提供了一种存储装置，包括：衬底；设在衬底上的至少一层存储器件层，存储器件层至少包括一存储单元、写入字线、写入位线、读取字线以及读取位线；存储单元包括写入晶体管和读取晶体管；写入晶体管包括第一栅电极、第一有源层、第一栅极绝缘层和第一源电极，第一栅电极竖直设置在衬底上；读取晶体管包括第二栅电极、第二有源层、第二栅极绝缘层、第二源电极和第二漏电