CN119486182B 一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119486182B

(45)授权公告日2025.05.13

(21)申请号202510067803.7

(22)申请日2025.01.16

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119486182A

(43)申请公布日2025.02.18

(73)专利权人泰科天润半导体科技（北京）有限公司

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义园临空二路1号

(72)发明人李昀佶张长沙施广彦何佳

(74)专利代理机构福州市京华专利代理事务所(普通合伙)35212

专利代理师刘晓明

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D62/13(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

(56)对比文件

CN118553617A,2024.08.27审查员刘宁

权利要求书1页说明书4页附图11页

(54)发明名称

一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS及其制

备方法

(57)摘要

CN119486182B本发明提供了一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，在碳化硅衬底下侧