CN119486125A 半导体器件及制造半导体器件的方法 （爱思开海力士有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486125A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202410777023.7

(22)申请日2024.06.17

(30)优先权数据

10-2023-01055882023.08.11KR

(71)申请人爱思开海力士有限公司地址韩国京畿道

(72)发明人尹慧媛金承焕

(74)专利代理机构北京弘权知识产权代理有限

公司11363

专利代理师许伟群毋二省

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书2页说明书16页附图20页

(54)发明名称

半导体器件及制造半导体器件的方法

(57)摘要

CN119486125A提供了半导体器件及制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：下结构；多个水平导电层，其在平行于下结构的表面的方向上定向；多个储存电容器，其共同耦接至水平导电层的第一侧端，其中多个储存电容器中的每一个被垂直地堆叠在下结构之上，并且包括筒形储存节点；以及垂直导电线，其共同耦接至水平导电层的与第一侧端相对的第二侧端，在与下结构的表面垂直或基本垂直的方向上延伸，并且包括多个电极部分，每个电极部分与相应的储存电容器的筒形储

CN119486125A

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