CN119486105A 半导体结构及其制造方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486105A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202310989872.4

(22)申请日2023.08.04

(71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

地址230601安徽省合肥市经济技术开发

区空港工业园兴业大道388号

(72)发明人刘克武迪

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书3页说明书13页附图12页

(54)发明名称

半导体结构及其制造方法

(57)摘要

CN119486105A本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供基底，基底中具有沿第一方向间隔排布的多个有源区；对基底进行图形化处理，以形成多个自基底顶面向基底内延伸的凹槽，凹槽和有源区一一对应，凹槽暴露部分有源区；在凹槽侧壁依次形成第一侧壁层和第二侧壁层；形成至少填充满凹槽剩余部分的位线接触层；形成沿第二方向延伸的位线柱，位线柱与至少一个位线接触层接触连接，且位线柱和与其接触连接的至少一个位线接触层构成位线结构，第一方向和第二方向相交。本公开实施例至少有利于提高形成的位线结

CN119486105A

CN119486105A权利要求书