CN119486228A 半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆 （长飞先进半导体(武汉)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486228A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202510066328.1

(22)申请日2025.01.16

(71)申请人长飞先进半导体（武汉）有限公司

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区高新大道999号武汉未来科技城

龙山创新园一期B4栋18楼546室（自贸

区武汉片区）

(72)发明人罗成志伍术

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332

专利代理师蒋黎丽

(51)Int.Cl.

H10D62/10(2025.01)

H10D30/60(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书2页说明书11页附图17页

(54)发明名称

半导体器件及制备方法、功率模块、功率转

换电路和车辆

(57)摘要

CN119486228A本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，其中，该器件包括：半导体本体；半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，半导体本体还包括阱区和第一区域；栅极结构，栅极结构从第一表面延伸至半导体本体中；栅极结构包括第一绝缘层和栅极；第二绝缘层，第二绝缘层在第一表面的垂直投影和栅极在第一表面的垂直投影重合；第三绝缘层，位于栅极两侧的第一绝缘层在第一