CN119486205A Ldmos器件及其制备方法 （晶芯成(北京)科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486205A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202510064752.2

(22)申请日2025.01.15

(71)申请人晶芯成（北京）科技有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十三街29号院一区2号楼

13层1302-C54

申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

(72)发明人周宁宁汪金陵张德培王梦慧

(74)专利代理机构北京成创同维知识产权代理

有限公司11449

专利代理师李秀霞

(51)Int.Cl.

H10D30/65(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D64/00(2025.01)

权利要求书2页说明书8页附图5页

(54)发明名称

LDMOS器件及其制备方法

(57)摘要

CN119486205A本申请公开LDMOS器件及其制备方法，该LDMOS器件包括：半导体层；位于半导体层中的体区和漂移区；位于体区中的源区；位于漂移区中的第一隔离结构和漏区，漏区和源区沿目标方向排列，第一隔离结构在漏区靠近源区的一侧；在半导体层表面的位于源区和漏区之间的栅结构；位于第一隔离结构表面的场板结构，场板结构包括覆盖第一隔离结构表面的场板介质层和位于场板介质层表面的场