CN119486118A 半导体装置与其制作方法 （南亚科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486118A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202311447977.3

(22)申请日2023.11.01

(30)优先权数据

18/231,4532023.08.08US

(71)申请人南亚科技股份有限公司

地址中国台湾新北市泰山区南林路98号

(72)发明人庄英政

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

专利代理师康艳青张铮铮

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

H01L23/528(2006.01)

H01L23/525(2006.01)

H01L21/768(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图9页

(54)发明名称

半导体装置与其制作方法

(57)摘要

CN119486118A一种半导体装置，包含具有主动区域以及围绕主动区域的周边区域的基板、设置在基板的主动区域中的多个栅极结构，以及设置在基板的周边区域的熔丝元件。熔丝元件包含多晶硅部分具有底部尖端指向基板、设置于多晶硅部分与基板之间的介电膜，以及设置在多晶硅部分上的导电部分。一种半导体装置的制作方法亦在此揭露。由于熔丝元件具有底部尖端，其有利于集中电场，以在施加外部电压于熔丝元件上时，在底部尖端诱发