CN119486115A 一种半导体器件及其制造方法、电子设备 （北京超弦存储器研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486115A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202311014334.X

(22)申请日2023.08.11

(71)申请人北京超弦存储器研究院

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十街18号院11号楼四层

401室

(72)发明人王耐征田超贾礼宾平延磊

(74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理

有限公司11262

专利代理师吴凤凰龙洪

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书2页说明书15页附图26页

(54)发明名称

一种半导体器件及其制造方法、电子设备

(57)摘要

CN119486115A一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：多个沿着垂直衬底方向堆叠的晶体管，贯穿所述不同层沿着垂直衬底方向延伸的字线；所述半导体层包括与所述第一电极或者第二电极接触的第一部分，以及，不与所述第一电极、第二电极接触的第二部分，所述第一部分仅沿垂直于衬底方向延伸；所述第二部分包括沿垂直于所述衬底方向延伸的第一延伸部和从所述第一延伸部向远离所述字线侧壁且平行于所述衬底方向延伸的第二延伸部；多个半导体层断开设置。本公开实施例提供的方案，半导体

CN119486