CN119486229A 一种碳化硅沟槽型功率器件及其制备方法 （旭矽半导体(上海)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486229A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202510068198.5

(22)申请日2025.01.16

(71)申请人旭矽半导体（上海）有限公司

地址201210上海市浦东新区中国(上海)

自由贸易试验区申江路5005弄3号3层01单元

(72)发明人尹储朱洋洋张朝阳陈桥梁徐西昌

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230

专利代理师辛菲

(51)Int.Cl.

H10D62/10(2025.01)

H10D62/13(2025.01)

H10D30/63(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书2页说明书7页附图12页

(54)发明名称

一种碳化硅沟槽型功率器件及其制备方法

(57)摘要

CN119486229A本发明属于半导体技术领域，公开了一种碳化硅沟槽型功率器件及其制备方法，该碳化硅沟槽型功率器件的外延结构上设有源极沟槽；源极沟槽内设有低介电常数材料作为器件的源极与所述外延结构的接触区域。在器件反向耐压时，低介电常数材料所在的区域可以先于栅极达到电场峰值，形成电场屏蔽区域，从而达到保护器件栅氧的目的。并且，由于低介电常数材料的介电强度更大，