- 0
- 0
- 约1.92万字
- 约 35页
- 2026-05-02 发布于山西
- 举报
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119486359A
(43)申请公布日2025.02.18
(21)申请号202411677528.2
(22)申请日2024.11.21
(71)申请人隆基绿能科技股份有限公司
地址710100陕西省西安市长安区航天中
路388号
(72)发明人童洪波马娜靳玉鹏於龙
(74)专利代理机构北京润泽恒知识产权代理有限公司11319
专利代理师童立龙
(51)Int.Cl.
H10F77/20(2025.01)
H10F71/00(2025.01)
H10F10/00(2025.01)
H10F19/90(2025.01)
权利要求书2页说明书9页附图8页
(54)发明名称
太阳能电池及其制备方法和光伏组件
(57)摘要
CN119486359A本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件,涉及光伏技术领域。太阳能电池包括:硅基底、功能层和电极结构;在相互垂直的第一方向及第二方向上齐聚的多个接触电极,组成接触电极组;在第二方向上至少一个接触电极组由若干部分组成;在第二方向上至少一个部分包括至少两个接触电极;在第一方向上,至少一个部分的所有接触电极及其之间的间隔的尺寸总和为M;至少一个部分的接触电极的总数量为n;在第二方向上,至少一个部分的
您可能关注的文档
- CN119486105A 半导体结构及其制造方法 (长鑫科技集团股份有限公司).docx
- CN119486106A 一种半导体结构的制作方法 (长鑫科技集团股份有限公司).docx
- CN119486109A 半导体结构及其制造方法、存储系统 (长江存储科技有限责任公司).docx
- CN119486117A 半导体结构的制造方法及半导体结构 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486123A 存储装置及其制备方法 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486125A 半导体器件及制造半导体器件的方法 (爱思开海力士有限公司).docx
- CN119486126A 存储装置、存储装置的制造方法及半导体装置 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486158A 一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法 (深圳市亚尔讯科技有限公司).docx
- CN119486181A 一种半导体器件及其制作方法 (合肥晶合集成电路股份有限公司).docx
- CN119486182A 一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 (泰科天润半导体科技(北京)有限公司).docx
原创力文档

文档评论(0)