CN119486395A 一种利用多层掩膜与分段刻蚀改善Micro LED台面形貌的方法 （微玖(苏州)光电科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486395A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202510038807.2

(22)申请日2025.01.10

(71)申请人微玖（苏州）光电科技有限公司

地址215127江苏省苏州市苏州工业园区

双溇里路3号传奇大厦1楼101室

(72)发明人余鹿鸣王月张宇黄振王程功郑鹏远李明

(74)专利代理机构长春吉大专利代理有限责任

公司22201

专利代理师王立文

(51)Int.Cl.

H10H20/01(2025.01)

权利要求书2页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种利用多层掩膜与分段刻蚀改善Micro

LED台面形貌的方法

(57)摘要

CN119486395A一种利用多层掩膜与分段刻蚀改善MicroLED台面形貌的方法，属于半导体加工工艺技术领域。首先是在外延层表面沉积SiO2掩膜层，再通过匀胶、曝光、显影得到光刻胶通孔结构；然后沉积铬金属膜层后抬离光刻胶，制备图形化铬金属膜层；再以图形化铬金属膜层为掩膜，刻蚀制备图形化SiO2掩膜层；以高Cl2/BCl3流量比刻蚀气体进行图形化铬金属膜层+外延层上部区域的刻蚀，以低Cl2/BCl3流量比刻蚀气体进行图形化SiO2掩膜层+外延层下部区域的刻蚀；本发明