CN119486252A 半导体器件及其制备方法 （芯联集成电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486252A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202510039605.X

(22)申请日2025.01.10

(71)申请人芯联集成电路制造股份有限公司

地址312000浙江省绍兴市越城区皋埠街

道临江路518号

(72)发明人黄艳赵晓燕钟鹏石磊陆凌杰

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

专利代理师曹廷廷

(51)Int.Cl.

H10D84/03(2025.01)

H10D84/80(2025.01)

H10D84/60(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H01L21/027(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图3页

(54)发明名称

半导体器件及其制备方法

(57)摘要

CN119486252A本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，其中半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供衬底，其包括基底层以及位于基底层上的间隔层，衬底被划分为用于形成BCD器件的第一区域和用于形成SGT器件的第二区域，第一区域的基底层中设置有BCD结构，第二区域的基底层中设置有相间隔的第一SGT结构和第二SGT结构；形成图形化的光刻胶层于第二区域的第一SGT结构以及