CN119486397A 一种用于超大电流的led外延片及其制备方法 （江西兆驰半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486397A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202510066540.8

(22)申请日2025.01.16

(71)申请人江西兆驰半导体有限公司

地址330000江西省南昌市南昌高新技术

产业开发区天祥北大道1717号

(72)发明人胡加辉刘春杨金从龙顾伟

(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限

公司44202

专利代理师李素兰

(51)Int.Cl.

H10H20/815(2025.01)

H10H20/01(2025.01)

权利要求书2页说明书10页附图2页

(54)发明名称

一种用于超大电流的LED外延片及其制备方

法

(57)摘要

CN119486397A本发明涉及半导体的技术领域，公开了一种用于超大电流的LED外延片及其制备方法，所述LED外延片包括衬底，衬底上依次设置有AlN层、缓冲层、第一GaN层、第二GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；应力释放层为周期性结构，每个周期性结构包括依次层叠的第三GaN层、InxGa1-xN层和AlyGa1-yN层，第三GaN层、InxGa1-xN层和AlyGa1-yN层于生长后还经过重结晶处理，重结晶处理在温度≥800℃,