- 2
- 0
- 约7.74万字
- 约 130页
- 2026-05-06 发布于山西
- 举报
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119487185A
(43)申请公布日2025.02.18
(21)申请号202380046378.2
(22)申请日2023.04.11
(30)优先权数据
63/329,8312022.04.11US
(85)PCT国际申请进入国家阶段日2024.12.11
(86)PCT国际申请的申请数据
PCT/US2023/0656332023.04.11
(87)PCT国际申请的公布数据
WO2023/201230EN2023.10.19
(71)申请人加利福尼亚大学董事会地址美国
(72)发明人D·帕特尔K·K·尼约吉
(74)专利代理机构北京市铸成律师事务所
11313
专利代理师张帆李文颖
(51)Int.Cl.
C12N9/22(2006.01)
C12N15/82(2006.01)
权利要求书4页说明书39页
序列表(电子公布)附图40页
(54)发明名称
筛选植物功能增益突变的方法及其组合物
(57)摘要
CN119487185A本公开涉及筛选靶基因的非编码区中的功能增益突变的方法。靶基因可以是NPQ基因,其包括光系统II亚基S(PsbS)、玉米黄质环氧化酶(ZEP)和紫黄质脱环氧化酶(VDE)。本公开进一步涉及通过在靶基因的非编
您可能关注的文档
- CN119486125A 半导体器件及制造半导体器件的方法 (爱思开海力士有限公司).docx
- CN119486126A 存储装置、存储装置的制造方法及半导体装置 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486158A 一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法 (深圳市亚尔讯科技有限公司).docx
- CN119486181A 一种半导体器件及其制作方法 (合肥晶合集成电路股份有限公司).docx
- CN119486182A 一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 (泰科天润半导体科技(北京)有限公司).docx
- CN119486182B 一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 (泰科天润半导体科技(北京)有限公司).docx
- CN119486205A Ldmos器件及其制备方法 (晶芯成(北京)科技有限公司).docx
- CN119486228A 半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆 (长飞先进半导体(武汉)有限公司).docx
- CN119486229A 一种碳化硅沟槽型功率器件及其制备方法 (旭矽半导体(上海)有限公司).docx
- CN119486252A 半导体器件及其制备方法 (芯联集成电路制造股份有限公司).docx
最近下载
- 2025年急性上消化道出血诊疗指南 .pdf VIP
- 2024年最新初级保安员考试题库与参考答案.pdf VIP
- 免费vc中国象棋软件(一).doc VIP
- 2025至2030中国饮料容器涂料行业细分市场及应用领域与趋势展望研究报告.docx VIP
- 2024年保安员上岗证初级保安员考试题库.docx VIP
- 第八届中国淄博国际陶瓷博览会体彩绘.ppt VIP
- 2025最新初级保安员考试题库与参考答案.docx VIP
- 沪教版四年级上学期期末考试语文试卷(共5套,含参考答案).docx VIP
- 沪教版四年级下册语文期中考试试卷(共5套,含答案).docx VIP
- JDY-31-V1.3蓝牙SPP串口透传模块手册.pdf VIP
原创力文档

文档评论(0)