- 1
- 0
- 约3.37万字
- 约 52页
- 2026-05-02 发布于山西
- 举报
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119486908A
(43)申请公布日2025.02.18
(21)申请号202380052253.0
(22)申请日2023.06.16
(30)优先权数据
PA2023700282023.01.19DK
63/366,6762022.06.20US
(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.06
(86)PCT国际申请的申请数据
PCT/US2023/0255432023.06.16
(87)PCT国际申请的公布数据
WO2023/249895EN2023.12.28
(71)申请人李尔公司
地址美国密歇根州
(72)发明人大卫·阿卜杜拉约书亚·哈洛克利萨·斯维科斯基
塞缪尔·布莱尔
(74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理
有限公司11262
专利代理师王娟杨明钊
(51)Int.Cl.
B60N2/58(2006.01)
A47C31/02(2006.01)
B68G7/052(2006.01)
B68G7/12(2006.01)
权利要求书2页说明书23页附图7页
(54)发明名称
用于座椅组件的保持器和组装方法
(57)摘要
CN119486908A描述了一种保持器,该保持器包括附接至装饰罩的长
您可能关注的文档
- CN119486105A 半导体结构及其制造方法 (长鑫科技集团股份有限公司).docx
- CN119486106A 一种半导体结构的制作方法 (长鑫科技集团股份有限公司).docx
- CN119486109A 半导体结构及其制造方法、存储系统 (长江存储科技有限责任公司).docx
- CN119486117A 半导体结构的制造方法及半导体结构 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486123A 存储装置及其制备方法 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486125A 半导体器件及制造半导体器件的方法 (爱思开海力士有限公司).docx
- CN119486126A 存储装置、存储装置的制造方法及半导体装置 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486158A 一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法 (深圳市亚尔讯科技有限公司).docx
- CN119486181A 一种半导体器件及其制作方法 (合肥晶合集成电路股份有限公司).docx
- CN119486182A 一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 (泰科天润半导体科技(北京)有限公司).docx
原创力文档

文档评论(0)