- 0
- 0
- 约6.83万字
- 约 98页
- 2026-05-02 发布于山西
- 举报
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119486726A
(43)申请公布日2025.02.18
(21)申请号202380037526.4
(22)申请日2023.05.05
(30)优先权数据
63/338,5862022.05.05US
(85)PCT国际申请进入国家阶段日2024.10.30
(86)PCT国际申请的申请数据
PCT/IB2023/0547082023.05.05
(87)PCT国际申请的公布数据
WO2023/214375EN2023.11.09
(71)申请人卡玛瑞制药有限公司地址以色列荷兹利亚
(72)发明人L·布拉曼-维克曼E·布兰纳B·维斯曼
(74)专利代理机构北京坤瑞律师事务所11494专利代理师封新琴
(51)Int.Cl.
A61K31/395(2006.01)
A61K31/12(2006.01)
A61K31/40(2006.01)
A61K31/33(2006.01)
A61K9/00(2006.01)
权利要求书3页说明书42页附图14页
(54)发明名称
治疗皮肤病学病状及其症状的方法
(57)摘要
CN119486726A包含TRPV3抑制剂诸如KM_001的局部施用的组合物显著降低患有皮肤病学病症诸如角化病、慢性单
您可能关注的文档
- CN119486105A 半导体结构及其制造方法 (长鑫科技集团股份有限公司).docx
- CN119486106A 一种半导体结构的制作方法 (长鑫科技集团股份有限公司).docx
- CN119486109A 半导体结构及其制造方法、存储系统 (长江存储科技有限责任公司).docx
- CN119486117A 半导体结构的制造方法及半导体结构 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486123A 存储装置及其制备方法 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486125A 半导体器件及制造半导体器件的方法 (爱思开海力士有限公司).docx
- CN119486126A 存储装置、存储装置的制造方法及半导体装置 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486158A 一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法 (深圳市亚尔讯科技有限公司).docx
- CN119486181A 一种半导体器件及其制作方法 (合肥晶合集成电路股份有限公司).docx
- CN119486182A 一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 (泰科天润半导体科技(北京)有限公司).docx
- CN119486742A 用交变电场和fgf抑制剂的组合进行治疗的组合物和方法 (诺沃库勒有限责任公司).docx
- CN119486751A 用于宫腔内人工授精(iui)的组合物和方法 (辉凌公司).docx
- CN119486755A Dlk1抗体及治疗癌症的方法 (加利福尼亚大学校董会).docx
- CN119486763A 抗体药物偶联物及其制备方法和用途 (苏州宜联生物医药有限公司).docx
- CN119486772A 放射屏蔽部件、密封组件、和使用方法 (巴德外周血管股份有限公司).docx
- CN119486781A 改善睡眠障碍性呼吸的系统和方法 (范德堡大学).docx
- CN119486797A 废气处理装置及废气处理装置的设计方法 (三菱重工业株式会社).docx
- CN119486799A 用于纯化1,1,1,2,3,3-六氟丙烷的方法 (阿科玛法国公司).docx
- CN119486802A 搅拌装置及搅拌方法 (住友重机械过程机器株式会社).docx
- CN119486811A 用于微流控系统中试剂特定驱动EWoD阵列的方法 (核蛋白有限公司).docx
原创力文档

文档评论(0)